MOCVD -Epitaxial -Suszeptor für 4 "Wafer

Vetek Semiconductor ist ein professioneller Leiter China MOCVD epitaxialer Suszeptor für 4 "Waferhersteller mit hoher Qualität und angemessener Preis. Willkommen, uns zu kontaktieren. Der MOCVD-Epitaxial-Suszeptor für 4" Wafer ist eine kritische Komponente in der Metall-organischen chemischen Dampfablagerung (MOCVD) (MOCVD) Prozess, der häufig für das Wachstum hochwertiger epitaxialer Dünnfilme verwendet wird, einschließlich Galliumnitrid (GaN), Aluminiumnitrid (ALN) und Siliziumcarbid (SIC). Der Suszeptor dient als Plattform, um das Substrat während des epitaxialen Wachstumsprozesses zu halten, und spielt eine entscheidende Rolle bei der Gewährleistung einer gleichmäßigen Temperaturverteilung, einer effizienten Wärmeübertragung und optimalen Wachstumsbedingungen.

Der MOCVD-epitaxiale Suszeptor für 4 "Wafer besteht typischerweise aus hochreines Graphit, Siliziumkarbid oder anderen Materialien mit ausgezeichneter thermischer Leitfähigkeit, chemischer Trägheit und Widerstand gegen thermische Schock.

Anwendungen:

Epitaktische MOCVD-Suszeptoren finden in verschiedenen Branchen Anwendung, darunter:

Leistungselektronik: Wachstum von GaN-basierten High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMTs) für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen.

Optoelektronik: Wachstum von GaN-basierten Leuchtdioden (LEDs) und Laserdioden für effiziente Beleuchtungs- und Anzeigetechnologien.

Sensoren: Wachstum von AlN-basierten piezoelektrischen Sensoren zur Druck-, Temperatur- und Schallwellenerkennung.

Hochtemperaturelektronik: Wachstum von SIC-basierten Leistungsgeräten für Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen.

Produktparameter des MOCVD-Epitaxialsuszeptors für 4-Zoll-Wafer

HINWEIS: Vor dem Beschichten werden wir die erste Reinigung nach der Beschichtung durchführen.

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