MOCVD -Unterstützung

Wie dasCVD -SIC -BeschichtungDer Hersteller Vetek Semiconductor kann Ihnen Aixtron G5 MocvD -Anfänger bereitstellen, die aus hochreinigem Graphit und CVD -SIC -Beschichtung (unter 5 ppm) bestehen. 

Die Mikro -LEDs -Technologie stört das vorhandene LED -Ökosystem mit Methoden und Ansätzen, die bisher erst in der LCD- oder Semiconductor -Industrie zu sehen sind, und das Aixtron G5 -MoCVD -System unterstützt diese strengen Verlängerungsanforderungen perfekt. Der Aixtron G5 ist einer der mächtigsten MOCVD-Reaktoren, die hauptsächlich für das GaN-Epitaxie-Wachstum auf Siliziumbasis entwickelt wurden.

Es ist wichtig, dass alle produzierten epitaxialen Wafer eine sehr enge Wellenlängenverteilung und sehr niedrige Oberflächendefekt -Werte aufweisen, was innovativ erforderlich istMOCVD -Technologie.

Aixtron G5 is a horizontal Planetary disk epitaxy system, mainly Planetary disc, MOCVD susceptor, cover ring, ceiling, supporting ring, cover disc, exhuast collector, pin washer, collector inlet ring, etc., The main product materials are CVD SiC coating+high purity graphite, semiconductor quartz,CVD -TAC -Beschichtung+Hochreinheit Graphit,starres Gefühlund andere Materialien.

Die MOCVD -SUPPTOR -Merkmale sind wie folgt

✔ Grundmaterialschutz: Die CVD -SIC -Beschichtung wirkt als Schutzschicht im epitaxialen Prozess, der die Erosion und Beschädigung der externen Umgebung durch das Grundmaterial effektiv verhindern, zuverlässige Schutzmaßnahmen liefern und die Lebensdauer der Geräte verlängern.

✔ Ausgezeichnete thermische Leitfähigkeit: Die CVD -SIC -Beschichtung weist eine ausgezeichnete thermische Leitfähigkeit auf und kann die Wärme schnell vom Grundmaterial auf die Beschichtungsoberfläche übertragen, wodurch die Effizienz des thermischen Managements während der Epitaxie verbessert und sicherstellt, dass die Ausrüstung innerhalb des entsprechenden Temperaturbereichs arbeitet.

✔ Filmqualität verbessern: CVD -SIC -Beschichtung kann eine flache, gleichmäßige Oberfläche liefern und eine gute Grundlage für das Wachstum des Films bilden. Es kann die durch Gitterfehlanpassungen verursachten Defekte verringern, die Kristallinität und Qualität des Films verbessern und somit die Leistung und Zuverlässigkeit des epitaxialen Films verbessern.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD -sic -Beschichtung: