SIC -Beschichtung ALD -Anfänger

Es HalbleiterSIC -Beschichtung ALD -Anfängerspielt eine wichtige Rolle bei der Atomschichtabscheidung (Ald) Verfahren. Die präzise Temperaturkontrolle, eine gleichmäßige Gasverteilung, ein hoher chemischer Widerstand und eine hervorragende thermische Leitfähigkeit sorgen für die Gleichmäßigkeit und hohe Qualität des Filmabscheidungsprozesses. Wenn Sie mehr wissen möchten, können Sie uns sofort konsultieren und wir werden Ihnen rechtzeitig antworten!

Präzise Temperaturregelung:

Die SIC-Beschichtung ALD-SUPPTOR hat normalerweise ein hoher Präzisionstemperaturkontrollsystem. Es ist in der Lage, während des gesamten Abscheidungsprozesses eine gleichmäßige Temperaturumgebung aufrechtzuerhalten, die entscheidend ist, um die Gleichmäßigkeit und Qualität des Films zu gewährleisten.

Einheitliche Gasverteilung:

Das optimierte Design der SIC -Beschichtung ALD -Anfälligkeit sorgt für die gleichmäßige Verteilung von Gas während des ALD -Abscheidungsprozesses. Seine Struktur umfasst normalerweise mehrere rotierende oder bewegliche Teile, um die gleichmäßige Abdeckung von reaktiven Gasen über der gesamten Waferoberfläche zu fördern.

Hoher chemischer Widerstand:

Da das ALD-Verfahren eine Vielzahl von chemischen Gasen umfasst, besteht die SIC-Beschichtung ALD-Anfälligkeit normalerweise aus korrosionsresistenten Materialien (wie Platin, Keramik oder hoher Purity-Quarz), um der Erosion chemischer Gase und dem Einfluss von Hochtemperaturumgebungen zu widerstehen.

Ausgezeichnete thermische Leitfähigkeit:

Um die Wärme effektiv durchzuführen und eine stabile Abscheidungstemperatur aufrechtzuerhalten, verwenden die SIC -Beschichtungs -ALD -Anfänger normalerweise hohe mermische Leitfähigkeitsmaterialien. Dies hilft, lokale Überhitzung und ungleiche Ablagerung zu vermeiden.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD -sic -Beschichtung:

Produktionsläden:

Überblick über die Halbleiter -Chip -Epitaxie -Industriekette：