Technik und Lösungen

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01 Leistungsgrenzen von CVD-SiC, TaC und festem SiC in Epitaxie- und Ätzprozessen
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01 Leistungsgrenzen von CVD-SiC, TaC und festem SiC in Epitaxie- und Ätzprozessen

Die Auswahl der richtigen CVD-SiC-, TaC-Beschichtung oder festen SiC-Beschichtung bestimmt direkt die Partikelmenge und die Komponentenlebensdauer auf Epitaxie-/Ätzlinien. Dieser Artikel bietet klare Auswahlgrenzen nach Temperatur, Atmosphäre und Prozess, gepaart mit wichtigen Lösungen für den Geräteaustausch und wichtigen Kennzahlen, um Ihnen dabei zu helfen, schnelle Entscheidungen zu treffen und Risiken zu reduzieren.
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Wassergeführte Lasertechnologie: Präzise Mikrolochbearbeitung für SiC-Substrate
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Wassergeführte Lasertechnologie: Präzise Mikrolochbearbeitung für SiC-Substrate

Entdecken Sie, wie die wassergeführte Lasertechnologie von VeTek gleichmäßige 0,15-mm-Durchgangslöcher in 2-mm-SiC-Substraten ohne Verjüngung, minimale HAZ und hohe Ausbeute für Halbleiteranwendungen liefert.
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VETEK-AMAT Hollow Lift Pin-Lösung: Hochreines Graphitsubstrat mit CVD-SiC-Beschichtung
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VETEK-AMAT Hollow Lift Pin-Lösung: Hochreines Graphitsubstrat mit CVD-SiC-Beschichtung

Das anspruchsvollste technische Problem bei Hohlhubstiften für Halbleitergeräte ist nicht die äußere Oberflächenbeschichtung, sondern die Erzielung einer stabilen und gleichmäßigen CVD-Beschichtung auf der Innenwand der Hohlstruktur. Von der Kontrolle der Gleichmäßigkeit der Innenwandbeschichtung bis hin zur Gewährleistung der Reinheit der Innenbohrung wirkt sich jeder Prozessschritt direkt auf die Waferausbeute aus. In diesem Artikel werden die zentralen Herausforderungen der Innenwandbeschichtung von Hohlhubbolzen und die wichtigsten technischen Wege analysiert.
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