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CMP Polishing Gleurry
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CMP Polishing Gleurry

CMP-Polierschlammung (chemische mechanische Polierschlammung) ist ein Hochleistungsmaterial, das bei der Herstellung von Halbleiter und Präzisionsmaterial verwendet wird. Seine Kernfunktion besteht darin, eine Feinflatheit und das Polieren der materiellen Oberfläche unter dem synergistischen Effekt der chemischen Korrosion und mechanischen Schleifen zu erreichen, um die Anforderungen an die Flachheit und die Oberflächenqualität auf Nanoebene zu erfüllen. Ich freue mich auf Ihre weitere Beratung.
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Produktbeschreibung

Vetekemicons CMP -Polierschlamm wird hauptsächlich als Polierschleif in der chemischen mechanischen Polierschlammung von CMP zur planarisierenden Halbleitermaterialien verwendet. Es hat die folgenden Vorteile:

● Der Durchmesser- und Partikel -Assoziationsgrad der Partikel kann frei kontrolliert werden;
● Die Partikel sind monodisperter und die Partikelgrößenverteilung ist gleichmäßig;
● Das Dispersionssystem ist stabil;
● Die Massenproduktionsskala ist groß und der Unterschied zwischen Chargen ist gering;
● Es ist nicht leicht zu kondensieren und sich zu beruhigen.


Leistungsindikatoren für Produkte der Ultrahoh-Purity-Serie

Parameter
 Einheit
 Leistungsindikatoren für Produkte der Ultrahoh-Purity-Serie
Bischof
 Bischof2
 Bischof3
 Bischof4
 Bischof-5
 Bischof6
 Bischof7
Durchschnittliche Kieselsäurepartikelgröße
 nm
 35 ± 5
 45 ± 5
 65 ± 5
 75 ± 5
 85 ± 5
 100 ± 5
 120 ± 5
Größenverteilung der Nanopartikel (PDI)
 1 <0,15
 <0,15
 <0,15
 <0,15
 <0,15
 <0,15
 <0,15
Lösung ph
 1 7.2-7.4
 7.2-7.4
 7.2-7.4
 7.2-7.4
 7.2-7.4
 7.2-7.4
 7.2-7.4
Solider Inhalt
 % 20,5 ± 0,5
 20,5 ± 0,5
 20,5 ± 0,5
 20,5 ± 0,5
 20,5 ± 0,5
 20,5 ± 0,5
 20,5 ± 0,5
Aussehen
 -
 Hellblau
 Blau
 Weiß
 Cremefarben
 Cremefarben
 Cremefarben
 Cremefarben
Partikelmorphologie x
 X: S-PHERICAL ； B-B-； P-Peanut-förmig ； t-bulbous ； c-kettenartig (aggregierter Zustand)
Stabilisierung von Ionen
 Organische / anorganische Amine
Rohmaterialzusammensetzung y
 Und ： M-tmos ； e-you ； me-tamos+teos ； em-ezos+tmos
Metallverunreinigungsgehalt
 ≤ 300 ppb


CMP Polishing Slurry Product Applications:


● Integrierte Schaltungsmaterialien CMP

● Integrierter Schaltkreis Poly-Si-Materialien CMP

● Halbleiter Einkristall -Silizium -Wafermaterial CMP

● Halbleiter Siliziumcarbidmaterial CMP

● Integrierte Schaltung STI -Materialien CMP

● Materialien für integrierte Schaltkreise Metall und Metallbarrierenschicht CMP


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