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CMP Polierslurry
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CMP Polierslurry

CMP-Polierslurry (Chemical Mechanical Polishing Slurry) ist ein Hochleistungsmaterial, das in der Halbleiterfertigung und Präzisionsmaterialbearbeitung eingesetzt wird. Seine Hauptfunktion besteht darin, durch den synergistischen Effekt von chemischer Korrosion und mechanischem Schleifen eine feine Ebenheit und Politur der Materialoberfläche zu erreichen, um die Anforderungen an Ebenheit und Oberflächenqualität auf Nanoebene zu erfüllen. Wir freuen uns auf Ihre weitere Beratung.

Die CMP-Polieraufschlämmung von Veteksemicon wird hauptsächlich als Poliermittel in der chemisch-mechanischen CMP-Polieraufschlämmung zum Planarisieren von Halbleitermaterialien verwendet. Es hat folgende Vorteile:

Partikeldurchmesser und Partikelaggregationsgrad frei einstellbar;
Die Partikel sind monodispers und die Partikelgrößenverteilung ist gleichmäßig;
Das Dispersionssystem ist stabil;
Der Massenproduktionsmaßstab ist groß und der Unterschied zwischen den Chargen gering.
Es ist nicht leicht, sich zu verdichten und abzusetzen.


Leistungsindikatoren für Produkte der Ultra-High-Purity-Serie

Parameter
Einheit
Leistungsindikatoren für Produkte der Ultra-High-Purity-Serie

UPXY-1
UPXY-2
UPXY-3
UPXY-4
UPXY-5
UPXY-6
UPXY-7
Durchschnittliche Silica-Partikelgröße
nm
35±5
45±5
65±5
75±5
85±5
100±5
120±5
Nanopartikelgrößenverteilung (PDI)
1 <0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
pH-Wert der Lösung
1 7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
Solider Inhalt
% 20,5 ± 0,5
20,5 ± 0,5
20,5 ± 0,5
20,5 ± 0,5
20,5 ± 0,5
20,5 ± 0,5
20,5 ± 0,5
Aussehen
--
Hellblau
Blau
Weiß
Cremefarben
Cremefarben
Cremefarben
Cremefarben
Partikelmorphologie X
X: S – kugelförmig; B – gebogen; P – erdnussförmig;
Stabilisierende Ionen
Organische/anorganische Amine
Rohstoffzusammensetzung Y
Y: M-TMOS; E-TEOS; ME-TMOS + TEOS; EM-TEOS + TMOS
Gehalt an Metallverunreinigungen
≤ 300 ppb


Leistungsdaten für High-Purity-Serienprodukte

Parameter
Einheit
Leistungsdaten für High-Purity-Serienprodukte
WGXY-1Z WGXY-2Z
WGXY-3Z
WGXY-4Z
WGXY-5Z
WGXY-6Z
WGXY-7Z
Durchschnittliche Silica-Partikelgröße
nm
35±5
45±5
65±5
75±5
85±5
100±5
120±5
Nanopartikelgrößenverteilung (PDI)
1 <0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
pH-Wert der Lösung
1 90,5 ± 0,2
9,5 ± 0,2
9,5 ± 0,2
9,5 ± 0,2
9,5 ± 0,2
9,5 ± 0,2
9,5 ± 0,2
Solider Inhalt
% 30-40 30-40
30-40
30-40
30-40
30-40
30-40
Aussehen
--
Hellblau
Blau
Weiß
Cremefarben
Cremefarben
Cremefarben
Cremefarben
Partikelmorphologie X
X: S – kugelförmig; B – gebogen; P – erdnussförmig;
Stabilisierende Ionen
M:Organisches Amin;K:Kaliumhydroxid;N:Natriumhydroxid;oder andere Komponenten
Gehalt an Metallverunreinigungen
Z: Hochreine Serie (H-Serie ≤ 1 ppm; L-Serie ≤ 10 ppm); Standard-Serie (M-Serie ≤ 300 ppm)

CMP-Polierschlamm-Produktanwendungen:


● ILD-Materialien für integrierte Schaltkreise (CMP).

● Integrierter Schaltkreis Poly-Si-Materialien CMP

● Halbleiter-Einkristall-Silizium-Wafer-Materialien CMP

● Halbleiter-Siliziumkarbid-Materialien CMP

● Integrierte Schaltung STI-Materialien CMP

● Integrierte Schaltungsmetalle und Metallbarriereschichtmaterialien (CMP).


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