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Maßgeschneiderte Graphitheizung für die heiße Zone
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Maßgeschneiderte Graphitheizung für die heiße Zone

Bei der Halbleiterfertigung und fortschrittlichen Materialverarbeitung bestimmen die Stabilität und Reinheit des Wärmefelds direkt die Wettbewerbsfähigkeit des Endprodukts. VETEK widmet sich der Forschung und Entwicklung sowie der Herstellung von Hochleistungs-Graphitheizsystemen und bietet zuverlässige Lösungen für MOCVD, SiC-Epitaxie und verschiedene Hochtemperatur-Vakuumöfen.

Warum VETEK wählen?


  ●Extreme thermische Gleichmäßigkeit: VETEK-Heizgeräte werden einer präzisen Struktursimulation und Konstruktion unterzogen, um selbst in extremen Umgebungen bis zu 2200 °C eine hervorragende Temperaturkonstanz zu gewährleisten und so die Waferausbeute effektiv zu steigern.

  ●Sicherung hochreiner Materialien: Wir wählen strikt isostatisch hochreinen Graphit aus und halten den Aschegehalt auf extrem niedrigem Niveau, um eine Metallionenkontamination bei hohen Temperaturen aus der Quelle zu verhindern.

  ●Fortschrittliche Beschichtungstechnologie: Wir nutzen die Kernkompetenzen von VETEK und bieten optionale SiC-Beschichtungen (Siliziumkarbid) an. Dadurch wird die Oxidations- und Korrosionsbeständigkeit erheblich verbessert und eine längere Lebensdauer in rauen chemischen Gasumgebungen gewährleistet.

  ●Präzise Anpassung: Ob es sich um zylindrische, spiralförmige oder komplexe Scheibenstrukturen handelt, VETEK bietet hochpräzise Bearbeitung auf der Grundlage Ihrer technischen Zeichnungen, um eine perfekte Anpassung an Ihre Ausrüstung zu gewährleisten.

  ●Umfassender Logistikschutz: VETEK hat die fragile Natur von Graphit erkannt und sein Verpackungssystem verbessert. Unsere mehrschichtige Anti-Schock-Verstärkung sorgt dafür, dass beim internationalen Transport „keine Schäden“ entstehen, sodass keine Bedenken hinsichtlich Produktionsverzögerungen bestehen.


Kernanwendungsfelder

  ●Halbleiterepitaxie: Kern-Wärmefeldkomponenten für MOCVD-Geräte (kompatibel mit Mainstream-Modellen wie dem K465i).

  ●SiC-Kristallwachstum: Präzise thermische Feldsteuerung für das Wachstum von Siliziumkarbid und anderen Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke.

  ●Hochtemperatur-Vakuumausrüstung: Weit verbreitet in Vakuumsinteröfen, Präzisionslötanlagen und hochwertigen Wärmebehandlungsgeräten.

  ●Substrate für fortschrittliche Beschichtungen: Ideales Basismaterial für CVD-SiC-, SiN- oder SiO-Beschichtungen.


Technische Spezifikationen

Wir unterstützen auch maßgeschneiderte Materialien mit höherem Reinheitsgrad für bestimmte Betriebsbedingungen.


Technische Spezifikation
Referenzwert
Schüttdichte
≥1,85 g/cm3
Aschegehalt
≤500 ppm
Shore-Härte
≥45
Spezifischer Widerstand
≤12 \muΩ⋅m
Biegefestigkeit
≥40 MPa
Druckfestigkeit
≥70 MPa
Max. Körnung
≤43 \mum
Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE)
≤4,4×10−6/∘C
Technische Spezifikation
Referenzwert

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