Hochreiner Quarz-Wafer-Träger

1. Hauptmerkmale und Vorteile

• Ultrahochreines dehydroxyliertes Quarzglas (SiO₂ ≥ 99,999 %) mit kontrollierten Metallverunreinigungen auf ppb-Niveau – Minimierung der Waferkontamination

• Dauerbetriebstemperatur bis 1100 °C; kurzfristige Spitzenbeständigkeit bis 1200 °C

• Hervorragende Temperaturwechselbeständigkeit und Dimensionsstabilität bei häufigen Temperaturwechseln

• Starke chemische Inertheit gegenüber oxidierenden Prozessgasen und gängigen Nassprozesschemikalien (HF, H₂O₂, Säuren/Laugen)

• Hohe Ebenheit und präzisionsgeschliffene Oberfläche mit abgerundeten Kanten für gleichmäßige Waferunterstützung und reduzierte Kantenbeschädigung

• Geringe Vakuumausgasung und geringe Oberflächenadsorption – geeignet für Präzisionsvakuumprozesse

• Vollständig anpassbare Strukturen: solide Träger, perforierte/belüftete Designs, abgestufte Positionierungsfunktionen, Positionierungslöcher, Mehrpunktstützen und verdickte Anti-Deformations-Designs für 2–12-Zoll-Wafer

2. Typische Anwendungen

Diese Träger werden überall dort eingesetzt, wo Wafer bei erhöhter Temperatur oder aggressiver Chemie eine saubere, formstabile Unterstützung benötigen:

• Beladung des Diffusions- und Glühofens

• Unterstützung des PECVD- und LPCVD-Filmwachstumsprozesses

• Vakuumkammer und Hochtemperatur-Prozesswerkzeuge

• Träger für Post-Etz-Trocknungs- und Nassreinigungsstationen

• Wärmeverarbeitung von SiC- und GaN-Leistungsbauelementen

• Optoelektronische Substrathandhabung und thermische Laborwerkzeuge

3. Wichtige technische Parameter

• Basismaterial: dehydroxyliertes Quarzglas in Halbleiterqualität, SiO₂ ≥ 99,999 %

• Kompatible Wafergrößen: 2, 4, 6, 8 und 12 Zoll (Si, SiC, GaN, Saphir)

• Empfohlener Dauertemperaturbereich: −20 °C bis 1100 °C; kurzfristige Spitze bis ca. 1200 °C

• Herstellungsweg: Einstückformung, Präzisionsflächenschleifen, Kantenverrundung, Spannungsarmglühen und hochreine Endreinigung

• Verfügbare Konfigurationen: massiv, belüftet/perforiert, abgestufte Positionierung, Lochmuster und vollständig kundenspezifische Geometrien

• Leistungsschwerpunkte: hohe Reinheit, thermische Stabilität, Korrosionsbeständigkeit, Oberflächenebenheit, geringe Ausgasung und langfristige Maßhaltigkeit

• Anpassungsumfang: Außenabmessungen, Dicke, Stützgeometrie, Lochanordnung und Sonderfunktionen basierend auf Kundenzeichnungen

4. Warum sollten Sie sich für Waferträger aus hochreinem Quarz von VeTek entscheiden?

Als professioneller Hersteller von Halbleiterquarzkomponenten bietet VeTek Semiconductor:

• Waferträger aus hochreinem Quarz, entwickelt für thermische, Vakuum- und Nassprozessumgebungen

• Strenge Reinheitskontrolle, Oberflächenebenheit und Sauberkeit, geeignet für die fortschrittliche Halbleiterproduktion

• Vollständige kundenspezifische und OEM-kompatible Designs für Ofen-, Kammer- und Prozessstationswerkzeuge

• Komplementäre Halbleiterquarzprodukte, einschließlich Ofenrohre, Waferboote, Tiegel und andere Prozesskomponenten

Unsere Waferträger aus hochreinem Quarz tragen dazu bei, einen gleichmäßigen thermischen Kontakt aufrechtzuerhalten, Partikel- und Metallverunreinigungen zu reduzieren und die Lebensdauer der Werkzeuge unter kontinuierlich hohen Temperaturen und korrosiven Prozessbedingungen zu verlängern – was zu einer höheren Ausbeute und niedrigeren Betriebskosten bei der Halbleiterfertigung führt.