Hochreines Siliziumkarbid (SiC)-Pulver

Hauptmerkmale
• Die Reinheit kann bis zu 99,9999 % betragen – das ist 6N

• Metallverunreinigungen werden gering gehalten

• GDMS-Testdaten sind auf Anfrage erhältlich

• Das Sublimationsverhalten bleibt von Charge zu Charge konstant

• Geringeres Kontaminationsrisiko während der Verarbeitung

• Die Partikelgrößenverteilung wird kontrolliert

• Sie können auch individuelle Partikelgrößen anfordern

• Die Qualitätskontrolle folgt Halbleiterstandards

Partikelgrößenbereich:

Pulverreinheit: 

Technische Spezifikationen:

Anwendungen

• SiC-Einkristallzüchtung (PVT)

• Leitfähige und halbisolierende SiC-Substrate

• Halbleitermaterialien

• Hochleistungskeramik

• Forschung und Entwicklung

Warum sollten Sie sich für VeTek Semiconductor entscheiden?

• Fortschrittliche Reinigungstechnologie

• Qualitätskontrolle auf Halbleiterniveau

• Individuelle Optionen für die Partikelgröße

• Stabile und zuverlässige Versorgung

• Technischer Support für Kristallwachstumsanwendungen