Quarzgasverteilungsplatte

Quarzgasverteilungsplatten, auch als Quarzduschköpfe bezeichnet, sind kritische Komponenten bei der Herstellung von Halbleiter. Diese Platten nutzen die außergewöhnliche Reinheit, den Widerstand mit hohem Temperatur und Korrosionsbeständigkeit von Quarz und sorgen für einen gleichmäßigen und stabilen Fluss von Prozessgasen auf die Waferoberfläche. Diese genaue Lieferung ist für die Aufrechterhaltung der Qualität und Gleichmäßigkeit von abgelagerten Filmen oder geätzten Merkmalen unerlässlich.

Schlüsselmerkmale des hohen Purity-Fusionsquarzes

● Material: 99,99%hoher Purity-Fusionsquarz

● Hochtemperaturwiderstand: Stand den Temperaturen über 1000 ℃ stand

● Korrosionsbeständigkeit: Ausgezeichnete Haltbarkeit gegen Prozessgase und Plasmaumgebungen

● Präzisionsgasfluss: Gleichmäßige Mikro-Loch-Verteilung für eine optimale Gasabgabe und Ablagerungsgleichmäßigkeit

● Anpassbares Design: Größe, Lochmuster und Befestigungsmerkmale können auf bestimmte Gerätemodelle zugeschnitten werden

Kernrollen bei der Herstellung von Halbleitern

1. Physikalische Dampfabscheidung (PVD) und chemische Dampfabscheidung (CVD)

Rolle: In PVD- und CVD -Prozessen leitet die Gasverteilungsplatte reaktive Gase (z. B. Silan, Ammoniak, Sauerstoff) oder Vorläufer auf den Wafer, um einen gewünschten Dünnfilm zu bilden.

Spezifische Verwendungen:

● Gleichmäßigkeitskontrolle: Die präzise entwickelten Mikrolöcher der Platte stellen sicher, dass der Gasstrom und die Konzentration über die gesamte Waferoberfläche gleichmäßig sind. Dies ist entscheidend für die Ablagerung von Filmen mit konsistenter Dicke und Leistung.

● Kontaminationsprävention: Die hohe Reinheit von Quarz verhindert, dass die Platte mit Prozessgasen reagiert oder Unreinheiten freigesetzt wird. Dies behält die Reinheit des Films bei und verhindert Defekte auf der Waferoberfläche.

2. Plasma-verstärkter chemischer Dampfabscheidung (Pecvd)

Rolle: In Pecvd liefert der Quarzduschkopf nicht nur reaktive Gase, sondern fungiert auch als Elektrode für die Plasmaerzeugung.

Spezifische Verwendungen:

● Plasmazündung: Der Duschkopf ist normalerweise mit einer Stromquelle für Funkfrequenz (RF) verbunden, um ein Plasma zu erzeugen. Hochenergetische Partikel innerhalb des Plasma fördern die Zersetzung von gasförmigen Reaktanten und ermöglichen die Filmablagerung bei niedrigeren Temperaturen.

● Wärmestabilität: Quarz weist eine ausgezeichnete thermische Stabilität auf und ermöglicht es ihm, der Hochtemperatur-Plasmaumgebung standzuhalten. Dies trägt dazu bei, eine gleichmäßige Temperatur innerhalb der Prozesskammer aufrechtzuerhalten und die Filmqualität und -konsistenz weiter sicherzustellen.

3. trockener Ätzen

Rolle: Bei trockener Ätzen führt die Gasverteilungsplatte reaktive Ätzgase (z. B. Fluorkohlenwasserstoffe, Chlor) in die Ätzkammer ein.

Spezifische Verwendungen:

● Ätzung: Die Platte sorgt für einen gleichmäßigen Fluss und eine Konzentration von Ätzgasen, die eine konsistente Ätztiefe und Profil über den gesamten Wafer garantiert. Dies ist entscheidend, um die genauen Muster zu erreichen, die für fortschrittliche Halbleitergeräte erforderlich sind.

● Korrosionsbeständigkeit: Die starken ätzenden Eigenschaften von Ätzgasen erfordern ein dauerhaftes Material. Quartzs hoher Korrosionsbeständigkeit verlängert die Lebensdauer des Duschkopfes und verringert das Risiko von Prozessunterbrechungen.

4. Waferreinigung

Rolle: Bei spezifischen Waferreinigungsprozessen wird eine Quarzgasverteilungsplatte verwendet, um Reinigungsgase (z. B. Ozon, Ammoniak) gleichmäßig an die Waferoberfläche zu liefern, um Reste oder Verunreinigungen zu entfernen.

Spezifische Verwendungen:

● Konsistente Reinigung: Die Platte stellt sicher, dass die Reinigung von Gasen jeden Teil des Wafers erreichen und einen gründlichen und einheitlichen Reinigungsprozess ermöglicht.

● Chemische Kompatibilität: Die Kompatibilität von Quarz mit einer Vielzahl von Reinigungschemikalien verhindert Reaktionen und behält die Reinheit und Wirksamkeit des Reinigungsprozesses auf.