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TAC beschichtete Graphitunterstützung
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TAC beschichtete Graphitunterstützung

Vetek Semiconductors TAC Coated Graphit Susceceptor verwendet eine chemische Dampfabscheidung (CVD), um eine tantale Carbidbeschichtung auf der Oberfläche von Graphitenteilen herzustellen. Dieser Prozess ist am reifsten und hat die besten Beschichtungseigenschaften. Der mit TAC beschichtete Graphit -Anfänger kann die Lebensdauer von Graphitkomponenten verlängern, die Migration von Graphitverunreinigungen hemmen und die Qualität der Epitaxie sicherstellen. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage.

Sie sind begrüßt, um in unserem Fabrik-Vetek-Halbleiter zu kommen, um den neuesten Verkauf, den niedrigen Preis und den qualitativ hochwertigen TAC-beschichteten Graphit-Empfängnis zu kaufen. Wir freuen uns darauf, mit Ihnen zusammenzuarbeiten.

Der Schmelzpunkt des Tantalkarbid-Keramikmaterials liegt bei bis zu 3880 °C, es hat einen hohen Schmelzpunkt und eine gute chemische Stabilität der Verbindung. Seine Hochtemperaturumgebung kann dennoch eine stabile Leistung aufrechterhalten. Darüber hinaus weist es auch eine hohe Temperaturbeständigkeit, chemische Korrosionsbeständigkeit und eine gute chemische Beständigkeit auf und mechanische Kompatibilität mit Kohlenstoffmaterialien und anderen Eigenschaften, was es zu einem idealen Schutzbeschichtungsmaterial für Graphitsubstrate macht. Die Tantalkarbidbeschichtung kann die Graphitkomponenten wirksam vor dem Einfluss von heißem Ammoniak, Wasserstoff und Siliziumdampf sowie geschmolzenem Metall in der rauen Einsatzumgebung schützen, die Lebensdauer der Graphitkomponenten erheblich verlängern und die Migration von Verunreinigungen im Graphit hemmen. Sicherstellung der Qualität der Epitaxie und des Kristallwachstums. Es wird hauptsächlich im Nasskeramikprozess verwendet.

Die chemische Dampfabscheidung (CVD) ist das reifer und optimalste Vorbereitungsmethode für die Tantal -Carbid -Beschichtung auf der Oberfläche von Graphit.


CVD-TaC-Beschichtungsmethode für TaC-beschichteten Graphitsuszeptor:

CVD TaC Coating Method for TaC Coated Graphite Susceptor

Der Beschichtungsprozess nutzt TaCl5 und Propylen als Kohlenstoffquelle bzw. Tantalquelle sowie Argon als Trägergas, um Tantalpentachloriddampf nach der Hochtemperaturvergasung in die Reaktionskammer zu bringen. Unter der Zieltemperatur und dem Zieldruck wird der Dampf des Vorläufermaterials auf der Oberfläche des Graphitteils adsorbiert und es kommt zu einer Reihe komplexer chemischer Reaktionen wie der Zersetzung und Kombination von Kohlenstoffquelle und Tantalquelle. Gleichzeitig sind auch eine Reihe von Oberflächenreaktionen wie die Diffusion des Vorläufers und die Desorption von Nebenprodukten beteiligt. Abschließend bildet sich auf der Oberfläche des Graphitteils eine dichte Schutzschicht, die den Graphitteil davor schützt, unter extremen Umweltbedingungen stabil zu bleiben. Die Anwendungsszenarien von Graphitwerkstoffen werden deutlich erweitert.


Produktparameter des TaC-beschichteten Graphitsuszeptors:

Physikalische Eigenschaften der TAC -Beschichtung
Dichte 14,3 (g/cm³)
Spezifischer Emissionsvermögen 0.3
Wärmeausdehnungskoeffizient 6,3x10-6/K
Härte (HK) 2000 HK
Widerstand 1 × 10-5Ohm*cm
Wärmestabilität <2500 ℃
Graphitgröße ändert sich -10 ~ -20um
Beschichtungsdicke ≥ 20 um einen typischen Wert (35 € ± 10um)


Produktionsstätten:

VeTek Semiconductor Production Shop


Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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