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8-Zoll-Epitaxie-Oberring mit CVD-Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtung
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8-Zoll-Epitaxie-Oberring mit CVD-Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtung

Der 8-Zoll-SiC-Epi-Oberring ist ein Hardwareteil für Halbleiterreaktoren. Es funktioniert in Si/SiC-Epitaxie- und MOCVD/CVD-Systemen. Dieser Ring stabilisiert die Hitze im Inneren der Kammer. Es steuert auch den Gasfluss. Das Material ist hochreines CVD-Siliziumkarbid. Es gibt nicht die Ausgasungsprobleme von Graphit. Außerdem wird die Partikelkontamination während der Produktion reduziert. Wir freuen uns über Ihre Anfragen.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum
Typischer Wert
Kristallstruktur
Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte
3,21 g/cm³
Härte
2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung
2~10μm
Chemische Reinheit
99,99995 %
Wärmekapazität
640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur
2700℃
Biegefestigkeit
415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul
430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit
300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE)
4,5×10-6K-1


Hauptmerkmale des 8-Zoll-SiC-Epi-Oberrings


● Hohe Reinheit: mindestens 99,9995 %. Metall wandert nicht in die Epi-Schicht. Dadurch bleibt die Konzentration der Waferträger dort, wo sie sein muss.

● Partikelunterdrückung: Die CVD-Struktur ist dicht. Keine Poren. Während das Werkzeug läuft, werden keine Partikel abgeworfen. Auf diese Weise erzielen Fabriken bessere Erträge.

● Hitzebeständigkeit: Der Ring bleibt bei 1500 °C stabil. Niedriger CTE (Wärmeausdehnung) bedeutet keine Verformung bei schnellen Aufheiz-/Abkühlzyklen.

● Chemische Stabilität: Das feste CVD-SiC widersteht H2- und HCl-Gasen. Es widersteht auch NH3. Es gibt keine Beschichtung, die sich ablösen lässt. In rauen CVD-Umgebungen verschlechtert es sich nicht.

● Lebensdauer der Komponenten: Die Oberfläche ist extrem hart. Es übersteht wiederholte chemische Reinigung mit HF/HCl. Dies reduziert die Austauschhäufigkeit. Es senkt auch die Gesamtbetriebskosten der Fabrik.


SIC coating composition parameter table

Technische Spezifikationen

Parameter
Wert
Produktname
8-Zoll-SiC-Epi-Oberring
Material
CVD-Vollsiliziumkarbid (SiC)
Reinheit
≥ 99,99995 %
Dichte
~3,2 g/cm³
Wärmeleitfähigkeit
~300 W/m·K
Wärmeausdehnung (CTE)
4,5–4,8 × 10⁻⁶ /°C
Maximale Temperatur
>1500°C
Struktur
Dicht, porenfrei
Größe
8 Zoll (kundenspezifisch erhältlich)
Oberfläche
Präzisionsgefertigt


Die Gleichmäßigkeit der Beschichtungsdicke zwischen den Chargen wird auf 10 µm kontrolliert


Anwendungen


Der CVD-SiC-Epi-Oberring wird häufig verwendet in:

● Silizium-Epitaxie-Reaktoren (Si Epi).

● Siliziumkarbid-Epitaxie (SiC Epi)

● MOCVD-Systeme

● CVD-Abscheidungsausrüstung

Häufig kombiniert mit:

● Suszeptoren

● Waferträger

● Ringe vorwärmen

● Epitaxiereaktoren


Warum sollten Sie sich für den VETEK SiC Epi Top Ring entscheiden?


Volle Fertigungskapazität: 

Von der Rohmaterialreinigung bis zur Präzisionsbearbeitung und CVD-Beschichtung kontrolliert VETEK den gesamten Produktionsprozess, um eine gleichbleibende Halbleiterqualität sicherzustellen.

Hohe Genauigkeit: 

Wir verwenden eine Bearbeitung im Mikrometerbereich. Die CVD-Dicke ist sehr gleichmäßig. Dadurch funktioniert jeder Ring genau gleich.


FAQ

(1) Was macht der SiC-Epi-Oberring?

Der Ring verwaltet den Wärme- und Gasfluss. Dadurch wird sichergestellt, dass der dünne Film gleichmäßig über den Wafer wächst.

(2) Warum ist CVD-SiC besser als Graphit?

Graphit ist porös. Graphit hat Poren und gibt Gas ab. Festes CVD-SiC ist dicht und sauber. In korrosiven Werkzeugen hält es viel länger.

(3).Kann der 8-Zoll-SiC-Oberring individuell angepasst werden?

Ja. Wir bauen nach Ihren spezifischen Werkzeugzeichnungen. Wir können die Geometrie an Ihren Prozess anpassen.

(4).Welche Branchen nutzen SiC-Epitaxieringe?

Sie werden hauptsächlich in der Halbleiterfertigung eingesetzt, darunter Leistungsgeräte, HF-Geräte und die Herstellung von SiC-Wafern.



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