Vetek Semiconductor ist ein führender Anbieter des in China beschichteten maßgeschneiderten oberen Halbmonon -Teils, der über 20 Jahre auf fortschrittliche Materialien spezialisiert ist. Vetek Semiconductor Upper Halfmoon Teil SIC Coated wurde speziell für sic -epitaxiale Geräte entwickelt und dient als entscheidende Komponente in der Reaktionskammer. Hergestellt aus Ultra-Pure-Graphit mit Halbleiterqualität, gewährleistet es eine hervorragende Leistung. Wir laden Sie ein, unsere Fabrik in China zu besuchen.
Als professioneller Hersteller möchten wir Ihnen qualitativ hochwertige obere Halbmonon -Teil -SIC -beschichteten bieten.
Vetek Semiconductor Upper Halfmoon Teil SIC beschichtet sind speziell für die sic epitaxiale Kammer ausgelegt. Sie haben eine Vielzahl von Anwendungen und sind mit verschiedenen Gerätemodellen kompatibel.
Anwendungsszenario:
Bei VETEK Semiconductor sind wir auf die Herstellung hochwertiger oberer Halbmoon-Teils-SIC-beschichtet. Unsere SIC- und TAC -beschichteten Produkte sind speziell für sic epitaxiale Kammern entwickelt und bieten eine breite Kompatibilität mit verschiedenen Gerätemodellen.
Vetek Semiconductor Upper Halfmoon Teil SIC Coated dient als Komponenten in der sic epitaxialen Kammer. Sie gewährleisten kontrollierte Temperaturbedingungen und indirekten Kontakt mit Wafern, wobei der Verunreinigungsgehalt unter 5 ppm beibehalten wird.
Um eine optimale epitaxiale Schichtqualität zu gewährleisten, überwachen wir kritische Parameter wie Dicke und Dotierungskonzentrationsgleichmäßigkeit sorgfältig. Unsere Bewertung umfasst die Analyse der Filmdicke, der Carrier -Konzentration, der Gleichmäßigkeit und der Oberflächenrauheitsdaten, um eine beste Produktqualität zu erreichen.
Der Vetek Semiconductor Upper Halfmoon Teil SIC Coated ist mit verschiedenen Gerätemodellen kompatibel, darunter LPE, Naura, JSG, CETC, NASO Tech und mehr.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um unseren hochwertigen oberen Halbmoon-Teil sic beschichteten oder Scheduls zu erkundenE Besuch in unserer Fabrik.
Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD -sic -Beschichtung:
Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD -sic -Beschichtung
Eigentum
Typischer Wert
Kristallstruktur
Polykristalline FCC -β -Phasen -FCC -β -Phase, hauptsächlich (111) orientiert
Dichte
3,21 g/cm³
Härte
2500 Vickers Härte (500 g Last)
Körnung
2 ~ 10 mm
Chemische Reinheit
99,99995%
Wärmekapazität
640 J · kg-1· K-1
Sublimationstemperatur
2700 ℃
Biegerstärke
415 MPa RT 4-Punkte
Young's Modul
430 GPA 4PT Bend, 1300 ℃
Wärmeleitfähigkeit
300W · m-1· K-1
Wärmeausdehnung (CTE)
4,5 × 10-6K-1
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Überblick über die Semiconductor Chip Epitaxy Industry -Kette:
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