Vetek Semiconductor ist ein führender Anbieter von maßgeschneidertem Ultra Pure Graphit Lower Halfmoon in China, der viele Jahre auf fortschrittliche Materialien spezialisiert ist. Unsere ultra -reine Graphit -Untermoune ist speziell für sic epitaxiale Geräte ausgelegt, um eine hervorragende Leistung zu gewährleisten. Hergestellt aus ultra-pure-importiertem Graphit bietet es Zuverlässigkeit und Haltbarkeit. Besuchen Sie unsere Fabrik in China, um unsere hochwertige ultra-reine Graphit-Untermoon aus erster Hand zu erkunden.
Vetek Semiconductor ist ein professioneller Hersteller, der sich der Bereitstellung von ultra reiner Graphit -Untermoune der Bereitstellung von unteren Halbmessungen widmet. Unsere Produkte Ultra Pure Graphit Lower Halfmoon wurden speziell für SIC -Epitaxialkammern entwickelt und bieten mit verschiedenen Gerätemodellen eine überlegene Leistung und Kompatibilität.
Merkmale:
Anschluss: Vetek Semiconductor Ultra Pure Graphit Die untere Halbmoon ist so ausgelegt, dass sie mit Quarzrohre verbunden ist und den Gasfluss erleichtert, um die Drehung der Trägerbasis zu antreiben.
Temperaturregelung: Das Produkt ermöglicht die Temperaturregelung und sorgt für optimale Bedingungen innerhalb der Reaktionskammer.
Nichtkontakte Konstruktion: In der Reaktionskammer installiert unsere ultra-reine Graphit-Untermoon-Halbmoon kontaktiert die Wafer nicht direkt und stellt die Integrität des Prozesses sicher.
Anwendungsszenario:
Unser ultra reiner Graphit -Untermoon ist eine kritische Komponente in sic epitaxialen Kammern, wo sie den Verunreinigungsgehalt unter 5 ppm aufrechterhält. Durch die enge Überwachung von Parametern wie Dicke und Dotierungskonzentrationsgleichmäßigkeit gewährleisten wir die epitaxialen Schichten von höchster Qualität.
Kompatibilität:
Vetek Semiconductor's Ultra Pure Graphit Lower Halfmoon ist mit einer Vielzahl von Gerätemodellen kompatibel, darunter LPE, Naura, JSG, CETC, NASO Tech usw.
Wir laden Sie ein, unsere Fabrik in China zu besuchen, um unsere hochwertige ultra-reine Graphit-Halbmoon aus erster Hand zu erkunden.
Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD -sic -Beschichtung:
Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD -sic -Beschichtung
Eigentum
Typischer Wert
Kristallstruktur
Polykristalline FCC -β -Phasen -FCC -β -Phase, hauptsächlich (111) orientiert
Dichte
3,21 g/cm³
Härte
2500 Vickers Härte (500 g Last)
Körnung
2 ~ 10 mm
Chemische Reinheit
99,99995%
Wärmekapazität
640 J · kg-1· K-1
Sublimationstemperatur
2700 ℃
Biegerstärke
415 MPa RT 4-Punkte
Young's Modul
430 GPA 4PT Bend, 1300 ℃
Wärmeleitfähigkeit
300W · m-1· K-1
Wärmeausdehnung (CTE)
4,5 × 10-6K-1
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