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8 -Zoll -Halbmoon -Teil für LPE -Reaktor
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8 -Zoll -Halbmoon -Teil für LPE -Reaktor

VeTek Semiconductor ist ein führender Hersteller von Halbleiterausrüstung in China, der sich auf die Forschung, Entwicklung und Produktion von 8-Zoll-Halbmondteilen für LPE-Reaktoren konzentriert. Wir haben im Laufe der Jahre umfangreiche Erfahrungen gesammelt, insbesondere mit SiC-Beschichtungsmaterialien, und sind bestrebt, effiziente, maßgeschneiderte Lösungen für LPE-Epitaxiereaktoren bereitzustellen. Unser 8-Zoll-Halbmondteil für LPE-Reaktoren zeichnet sich durch hervorragende Leistung und Kompatibilität aus und ist eine unverzichtbare Schlüsselkomponente in der Epitaxiefertigung. Wir freuen uns über Ihre Anfrage, um mehr über unsere Produkte zu erfahren.


Als professioneller Hersteller möchte VeTek Semiconductor Ihnen hochwertige 8-Zoll-Halbmondteile für LPE-Reaktoren anbieten.

Vetek Semiconductor 8 -Zoll -Halbmoon -Teil für LPE -Reaktor ist eine wesentliche Komponente, die bei Semiconductor -Herstellungsprozessen verwendet wird, insbesondere bei sic epitaxialen Geräten. Vetek Semiconductor setzt eine patentierte Technologie ein, um einen 8 -Zoll -Halbmoon -Teil für den LPE -Reaktor zu produzieren, um sicherzustellen, dass sie außergewöhnliche Reinheit, einheitliche Beschichtung und herausragende Langlebigkeit besitzen. Darüber hinaus weisen diese Teile eine bemerkenswerte chemische Resistenz- und thermische Stabilitätseigenschaften auf.

Der Hauptkörper des 8-Zoll-Halbmoon-Teils für LPE-Reaktor besteht aus Hochpuritätsgrafit, das eine hervorragende thermische Leitfähigkeit und mechanische Stabilität bietet. Mit hohem Purity-Graphit wird für seinen Gehalt mit geringer Verunreinigung ausgewählt, um eine minimale Kontamination während des epitaxialen Wachstumsprozesses zu gewährleisten. Seine Robustheit ermöglicht es ihm, den anspruchsvollen Bedingungen innerhalb des LPE -Reaktors standzuhalten.

Vetek Semiconductor Sic Coated Graphit -Halbmoon -Teile werden mit äußerster Präzision und Liebe zum Detail hergestellt. Die hohe Reinheit der verwendeten Materialien garantiert eine überlegene Leistung und Zuverlässigkeit bei der Herstellung von Halbleitern. Die einheitliche Beschichtung dieser Teile sorgt für einen konstanten und effizienten Betrieb während ihrer gesamten Lebensdauer.

Einer der Hauptvorteile unserer SiC-beschichteten Graphit-Halbmondteile ist ihre hervorragende chemische Beständigkeit. Sie halten der korrosiven Natur der Halbleiterfertigungsumgebung stand, gewährleisten eine lange Haltbarkeit und minimieren die Notwendigkeit eines häufigen Austauschs. Darüber hinaus können sie aufgrund ihrer außergewöhnlichen thermischen Stabilität ihre strukturelle Integrität und Funktionalität auch unter Hochtemperaturbedingungen aufrechterhalten.

Unsere sic beschichteten Graphit -Halbmoon -Teile wurden sorgfältig entwickelt, um den strengen Anforderungen der sic -epitaxialen Geräte zu erfüllen. Mit ihrer zuverlässigen Leistung tragen diese Teile zum Erfolg von epitaxialen Wachstumsprozessen bei und ermöglichen die Ablagerung hochwertiger SIC-Filme.


CVD-SIC-BESCHICHTUNGSFILM-KRISTALLSTRUKTUR:


CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE



Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum Typischer Wert
Kristallstruktur Polykristalline FCC -β -Phasen -FCC -β -Phase, hauptsächlich (111) orientiert
Dichte 3,21 g/cm³
Härte 2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung 2 ~ 10 mm
Chemische Reinheit 99,99995 %
Wärmekapazität 640 J · kg-1· K-1
Sublimationstemperatur 2700℃
Biegefestigkeit 415 MPa RT 4-Punkte
Der Modul von Young 430 GPA 4PT Bend, 1300 ℃
Wärmeleitfähigkeit 300W · m-1· K-1
Wärmeausdehnung (CTE) 4,5 × 10-6K-1


VeTek Semiconductor Production Shop:

VeTek Semiconductor Production Shop


Überblick über die Industriekette der Halbleiterchip-Epitaxie:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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