Gan epitaxiale Graphitunterstützung für G5

Vetek Semiconductor ist ein professioneller China Gan Epitaxial Graphit Susceceptor für G5 -Hersteller und Lieferanten. Der GaN epitaxiale Graphit-Anfänger für G5 ist eine kritische Komponente, die im Aixtron G5-Metall-organischen chemischen Dampfabscheidungssystem (MOCVD) für das Wachstum hochwertiger Galliumnitrid (GaN) dünne Filme verwendet wird. Er spielt eine entscheidende Rolle bei der Auswahl einer gleichmäßigen Temperatur Verteilung, effiziente Wärmeübertragung und minimale Kontamination während des Wachstumsprozesses.

Hauptmerkmale des GaN-Epitaxialgraphit-Suszeptors von VeTek Semiconductor für G5:

-Hohe Reinheit: Der Suszeptor besteht aus hochreinem Graphit mit CVD-Beschichtung, wodurch die Kontamination der wachsenden GaN-Filme minimiert wird.

-Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit: Die hohe Wärmeleitfähigkeit von Graphit (150–300 W/(m·K)) gewährleistet eine gleichmäßige Temperaturverteilung über den Suszeptor und führt zu einem gleichmäßigen Wachstum des GaN-Films.

-Geringe Wärmeausdehnung: Der niedrige Wärmeausdehnungskoeffizient des Suszeptors minimiert thermische Spannungen und Risse während des Hochtemperaturwachstumsprozesses.

-Chemische Inertheit: Graphit ist chemisch inert und reagiert nicht mit den GaN-Vorläufern, wodurch unerwünschte Verunreinigungen in den gewachsenen Filmen verhindert werden.

-Kompatibilität mit Aixtron G5: Der Suszeptor wurde speziell für den Einsatz im Aixtron G5 MOCVD-System entwickelt und gewährleistet die richtige Passform und Funktionalität.

Anwendungen:

LEDs mit hoher Brightness: GaN-basierte LEDs bieten eine hohe Effizienz und eine lange Lebensdauer, wodurch sie ideal für allgemeine Beleuchtung, Automobilbeleuchtung und Anzeigeanwendungen sind.

Hochleistungstransistoren: Gan-Transistoren bieten eine überlegene Leistung in Bezug auf Leistungsdichte, Effizienz und Schaltgeschwindigkeit, wodurch sie für Strome-Elektronikanwendungen geeignet sind.

Laserdioden: GaN-basierte Laserdioden bieten hohe Effizienz und kurze Wellenlängen, was sie ideal für optische Speicher- und Kommunikationsanwendungen macht.

Produktparameter des GaN-Epitaxie-Graphit-Suszeptors für G5

Hinweis: Vor dem Beschichten führen wir eine erste Reinigung durch, nach dem Beschichten führen wir eine zweite Reinigung durch.

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