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CVD-SiC-beschichteter Graphit-Suszeptor für Wafer-Träger
  • CVD-SiC-beschichteter Graphit-Suszeptor für Wafer-TrägerCVD-SiC-beschichteter Graphit-Suszeptor für Wafer-Träger

CVD-SiC-beschichteter Graphit-Suszeptor für Wafer-Träger

Der VETEK CVD SiC-beschichtete Graphit-Suszeptor für Wafer-Träger ist eine Hochleistungs-Wafer-Trägerkomponente, die für Halbleiterepitaxieprozesse entwickelt wurde. Das Produkt verwendet hochreinen Graphit als Substrat und ist mit einer gleichmäßigen CVD-Siliziumkarbidschicht (SiC) beschichtet, die eine hervorragende thermische Stabilität, chemische Beständigkeit und Partikelkontrolle bietet. Als wichtige Graphit-Suszeptorkomponente stützt es Wafer direkt in der Reaktionskammer und trägt dazu bei, eine gleichmäßige Temperaturverteilung und stabile epitaktische Wachstumsbedingungen aufrechtzuerhalten.

1. Produktvorteile


  • Hochreines Material:Das Graphitmaterial in Halbleiterqualität und die dichte SiC-Beschichtungsstruktur minimieren das Kontaminationsrisiko und verbessern die Zuverlässigkeit des CVD-SiC-beschichteten Graphitsuszeptors.
  • Ausgezeichnete thermische Gleichmäßigkeit:Die optimierte Graphitstruktur und die SiC-Beschichtung sorgen für eine stabile Wärmeübertragung und eine gleichmäßige Wafer-Temperaturkontrolle.
  • Überlegene chemische Beständigkeit:Die dichte SiC-Beschichtung bietet eine hohe Beständigkeit gegen Prozessgase und korrosive Umgebungen.
  • Lange Lebensdauer:Hohe Härte und Verschleißfestigkeit verbessern die Haltbarkeit unter Hochtemperatur-Epitaxiebedingungen.
  • Geringe Partikelerzeugung:Die dichte CVD-SiC-Oberfläche reduziert die Partikelfreisetzung und verbessert die Zuverlässigkeit des Waferprozesses.
  • Kundenspezifische Designfähigkeit:Je nach Ausstattungsbedarf in verschiedenen Größen, Strukturen und Konfigurationen erhältlich.



2. Technische Spezifikationen

Artikel
Typischer Wert
Substratmaterial
Hochreiner Graphit
Beschichtungsmaterial
CVD-Siliziumkarbid (SiC)
SiC-Reinheit
≥99,999 %
Beschichtungsdicke
100 ± 20 μm (anpassbar)
Gleichmäßige Schichtdicke
Kontrolliert innerhalb von 10 μm zwischen den Chargen
Dichte der CVD-SiC-Beschichtung
3,21 g/cm³
Wärmeleitfähigkeit
300 W/m·K
Wärmeausdehnungskoeffizient
4,5 × 10⁻⁶/K

3. Bewerbungen


  • SiC-Epitaxieprozess:Der Graphitsuszeptor wird als Waferträger in SiC-Epitaxiegeräten verwendet und unterstützt SiC-Substrate während des Hochtemperatur-Epitaxiewachstums.
  • Silizium-Epitaxie-Prozess:Wird in Silizium-Epitaxiereaktoren zur Unterstützung von Wafern und zur Aufrechterhaltung stabiler thermischer Bedingungen eingesetzt.
  • MOCVD-Epitaxie:VETEK-Graphitsuszeptoren eignen sich für MOCVD, LED-Epitaxie, GaN-Epitaxie, Siliziumepitaxie und andere Halbleiterherstellungsprozesse, die eine hervorragende thermische Gleichmäßigkeit und chemische Stabilität erfordern.
  • Ausrüstung zur Halbleiterfertigung:Kompatibel mit verschiedenen Epitaxieplattformen, einschließlich LPE-Horizontalöfen, Aixtron, NuFlare und zugehörigen Halbleitergeräten.



4. Warum VETEK wählen?

VETEK bietet maßgeschneiderte CVD-SiC-beschichtete Graphitsuszeptorlösungen, die Graphitreinigung, Präzisionsbearbeitung, CVD-Beschichtung und Inspektionsfunktionen integrieren. Unsere Graphit-Suszeptorprodukte in Halbleiterqualität zeichnen sich durch hohe Reinheit, gleichmäßige Beschichtungsdicke, hervorragende thermische Leistung und lange Lebensdauer für anspruchsvolle Waferträgeranwendungen aus.

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