CVD-SiC-beschichteter RTP-Suszeptor

Merkmale

• Thermische Gleichmäßigkeit – Die hohe thermische Diffusionsfähigkeit des Materials ermöglicht eine schnelle, räumlich gleichmäßige Wärmeübertragung und unterstützt wiederholbare Wafer-Temperaturprofile.
• Hoher Reinheitsgrad – Die CVD-SiC-Beschichtung erreicht eine Reinheit von 99,99995 %, wodurch das Risiko einer Kontamination mit mobilen Ionen und Metallen in kritischen Prozessschritten effektiv reduziert wird.
• Chemische Haltbarkeit – Die Beschichtung weist bei erhöhten Temperaturen eine starke Beständigkeit gegenüber korrosiven Spezies, einschließlich Gasen auf Halogenbasis, auf.l Verlängerte Wartungsintervalle – Verbesserte Oxidations- und Verschleißbeständigkeit führen zu weniger Austauschen und kürzeren Werkzeugausfallzeiten.
• Designflexibilität – Abmessungen und Konfigurationen können an spezifische RTP-Kammergeometrien und Wafergrößen angepasst werden.

Anwendungen

• Schnelle thermische Verarbeitung (RTP)
• Schnelles thermisches Ausheilen (RTA)
• Dotierstoffaktivierung, Oxidations- und Glühschritte
• Herstellung integrierter Schaltkreise (IC).
• Herstellung von LeistungsgerätenTechnisch

Spezifikationen

Warum sollten Sie sich für VeTek Semiconductor entscheiden?

· Eigenes CVD-SiC-Beschichtungsverfahren, das speziell für die Anforderungen in Halbleiterqualität entwickelt wurde.

· Integrierte Funktionen zur Graphitreinigung, Präzisionsbearbeitung und Schichtdickenkontrolle.

· Bewährte Beschichtungshaftung und Schichtgleichmäßigkeit über die gesamte Chargenproduktion hinweg.

· Technische Unterstützung für kundenspezifische Suszeptordesigns, die mit den wichtigsten RTP-Toolplattformen kompatibel sind.

· Strenge eingehende Materialkontrollen, In-Prozess-Überwachung und abschließende Qualifizierungstests stellen die Konsistenz von Charge zu Charge sicher.