CVD-TaC-beschichteter Suszeptor

Produktdefinition und Zusammensetzung

Der VETEK CVD TaC Coated Susceptor ist eine High-End-Waferträgerkomponente, die speziell für die epitaktische Verarbeitung von Halbleitern (SiC, GaN, AlN) der dritten Generation verwendet wird. Dieses Produkt vereint die physikalischen Vorteile zweier Hochleistungsmaterialien:

Hochreines Graphitsubstrat: Verwendet ein isostatisches Pressformverfahren, um sicherzustellen, dass das Substrat über eine hervorragende strukturelle Festigkeit, hohe Dichte und thermische Verarbeitungsstabilität verfügt.

CVD-TaC-Beschichtung: Eine dichte, spannungsfreie Schutzschicht aus Tantalkarbid (TaC) wird durch fortschrittliche CVD-Technologie (Chemical Vapour Deposition) auf der Graphitoberfläche aufgewachsen.

Technische Hauptvorteile: Außergewöhnliche Anpassungsfähigkeit an extreme Umgebungen

Im MOCVD-Prozess ist die TaC-Beschichtung nicht nur eine physikalische Schutzschicht, sondern auch der Kern für die Gewährleistung der Prozesswiederholbarkeit:

Toleranz gegenüber extrem hohen Temperaturen: TaC hat einen Schmelzpunkt von bis zu 3880 °C und behält selbst bei epitaktischen Ultrahochtemperaturprozessen über 1600 °C eine ausgezeichnete Formstabilität bei.

Ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit: In stark reduzierenden Umgebungen, die NH₃ (Ammoniak) oder H₂ (Wasserstoff) enthalten, ist die Korrosionsrate von TaC extrem niedrig, wodurch Substratverlust und Ausfällung von Verunreinigungen wirksam verhindert werden.

Ultrahochreinheitsgarantie: Die Beschichtungsreinheit beträgt bis zu 99,9995 %. Seine dichte Struktur versiegelt die Graphitmikroporen vollständig und sorgt so dafür, dass der epitaktische Film extrem niedrige Verunreinigungsgrade erreicht.

Präzise thermische Feldverteilung: Die optimierte Beschichtungskontrolltechnologie von VETEK stellt sicher, dass die Temperaturdifferenz der Suszeptoroberfläche innerhalb von ±2 °C kontrolliert wird, wodurch die Dicke und Wellenlängenkonsistenz der Wafer-Epitaxieschicht deutlich verbessert wird.

Technische Parameter

Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung im mikroskopischen Querschnitt:

Kernanwendungsfelder

Epitaktisches Wachstum von SiC (Siliziumkarbid).: Unterstützt die Produktion von 6-Zoll-, 8-Zoll- und größeren SiC-Leistungsgeräten.

Auf GaN (Galliumnitrid) basierende Geräte: Wird in MOCVD-Prozessen für Hochleistungs-LEDs, HEMT-Leistungsgeräte und HF-Chips verwendet.

AlN (Aluminiumnitrid) und UVC-Wachstum: Bietet Trägerlösungen für extrem hohe Temperaturen (1400 °C+) für Materialien mit extrem großer Bandlücke wie Deep-UV-LEDs.

Maßgeschneiderte Forschungsunterstützung: Passt sich an die Präzisionsanpassungsanforderungen von Forschungsinstituten für verschiedene unregelmäßige Teile und Scheiben mit mehreren Löchern an.

Kompatible Modelle und Anpassungsdienste

VETEK verfügt über präzise mechanische Bearbeitungs- und Beschichtungsmöglichkeiten und passt sich perfekt an die weltweit gängige MOCVD-Ausrüstung an:

AIXTRON: Unterstützt verschiedene Planetenrotationsscheiben und -basen.

Veeco: Unterstützt K465i, Propel und andere vertikale Suszeptorserien.

AMEC und andere: Bietet vollständig kompatible Ersatzteile oder Upgrade-Lösungen.