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MOCVD-SiC-beschichteter Suszeptor
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MOCVD-SiC-beschichteter Suszeptor

VETEK MOCVD SiC Coated Susceptor ist eine präzisionsgefertigte Trägerlösung, die speziell für das epitaktische Wachstum von LEDs und Verbindungshalbleitern entwickelt wurde. Es weist eine außergewöhnliche thermische Gleichmäßigkeit und chemische Inertheit in komplexen MOCVD-Umgebungen auf. Durch den Einsatz des strengen CVD-Abscheidungsprozesses von VETEK sind wir bestrebt, die Konsistenz des Waferwachstums zu verbessern und die Lebensdauer der Kernkomponenten zu verlängern, um eine stabile und zuverlässige Leistungssicherung für jede Charge Ihrer Halbleiterproduktion zu gewährleisten.

Technische Parameter


Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum
Typischer Wert
Kristallstruktur
FCC-β-Phase polykristallin, hauptsächlich (111)-Orientierung
Dichte
3,21 g/cm³
Härte
2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung
2~10μm
Chemische Reinheit
99,99995 %
Wärmekapazität
640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur
2700℃
Biegefestigkeit
415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul
430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit
300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE)
4,5×10-6K-1


CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

CVD-SIC-FILM-KRISTALLSTRUKTUR


Produktdefinition und Zusammensetzung


Der VETEK MOCVD SiC Coated Susceptor ist eine Premium-Wafer-tragende Komponente, die speziell für die epitaktische Verarbeitung von Halbleitern der dritten Generation wie GaN und SiC entwickelt wurde. Dieses Produkt vereint die überlegenen physikalischen Eigenschaften zweier Hochleistungsmaterialien:


Hochreines Graphitsubstrat: Hergestellt mit isostatischer Presstechnologie, um sicherzustellen, dass das Grundmaterial eine außergewöhnliche strukturelle Integrität, hohe Dichte und thermische Verarbeitungsstabilität besitzt.

CVD-SiC-Beschichtung: Durch fortschrittliche CVD-Technologie (Chemical Vapour Deposition) wird eine dichte, spannungsfreie Schutzschicht aus Siliziumkarbid (SiC) auf der Graphitoberfläche aufgewachsen.


Warum VETEK Ihre Ertragsgarantie ist


Ultimative Präzision bei der Kontrolle der thermischen Gleichmäßigkeit: Im Gegensatz zu herkömmlichen Trägern erreichen VETEK-Suszeptoren eine hochsynchronisierte Wärmeübertragung über die gesamte Oberfläche durch eine präzise Steuerung der Beschichtungsdicke und des Wärmewiderstands im Nanometerbereich. Dieses ausgefeilte Wärmemanagement minimiert effektiv die Wellenlängenstandardabweichung (STD) auf der Waferoberfläche und steigert so die Qualität einzelner Wafer und die Gesamtkonsistenz der Charge deutlich.

Langfristiger Schutz ohne Partikelverschmutzung: In MOCVD-Reaktionskammern, die stark korrosive Gase enthalten, neigen gewöhnliche Graphitsockel zur Partikelabplatzung. Die CVD-SiC-Beschichtung von VETEK verfügt über eine außergewöhnliche chemische Inertheit und fungiert als undurchdringlicher Schutzschild, der Graphit-Mikroporen versiegelt. Dies gewährleistet eine vollständige Isolierung von Substratverunreinigungen und verhindert eine Kontamination der GaN- oder SiC-Epitaxieschichten.

Außergewöhnliche Ermüdungsfestigkeit und Lebensdauer:Dank des proprietären Grenzflächenbehandlungsprozesses von VETEK erreicht unsere SiC-Beschichtung eine optimierte Wärmeausdehnungsanpassung an das Graphitsubstrat. Selbst bei hochfrequenten Temperaturwechseln zwischen extremen Temperaturen behält die Beschichtung eine hervorragende Haftung bei, ohne sich abzulösen oder Mikrorisse zu entwickeln. Dies reduziert die Häufigkeit der Ersatzteilwartung erheblich und senkt Ihre Gesamtbetriebskosten.


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