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LED-Epitaxie-Suszeptor
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LED-Epitaxie-Suszeptor

Der LED-Epitaxie-Suszeptor von VeTek Semiconductor ist für die epitaktische Herstellung blauer und grüner LEDs konzipiert. Es kombiniert Siliziumkarbidbeschichtung und SGL-Graphit und weist eine hohe Härte, geringe Rauheit, gute thermische Stabilität und ausgezeichnete chemische Stabilität auf. Der LED-Epitaxie-Suszeptor ist eines der herausragendsten Produkte von VeTek Semiconductor. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage.

Im Bereich der Herstellung blauer und grüner LEDs demonstriert der LED-Epitaxie-Suszeptor als eines der besten Produkte auf dem aktuellen Markt die starken Fertigungskapazitäten von VeTek Semiconductor. Kombiniert die hervorragende Leistung vonSiliziumkarbidbeschichtungMit den hervorragenden Eigenschaften von SGL-Graphit bietet dieser Suszeptor eine beispiellose Unterstützung für das epitaktische Wachstum von LEDs und hilft LED-Unternehmen, sich im harten Wettbewerb auf dem Markt hervorzuheben.


Vorteile des Kernmaterials


(I) Siliziumkarbidbeschichtung

Die Siliziumkarbid-Beschichtung verleiht dem LED-Epitaxie-Suszeptor eine hervorragende Oberflächenhärte, sodass er verschiedenen physischen Abnutzungserscheinungen und Kratzern während des LED-Epitaxie-Wachstums standhält. Durch die Beibehaltung der Ebenheit und Glätte der Oberfläche über einen langen Zeitraum wird sichergestellt, dass die Gleichmäßigkeit des Epitaxieschichtwachstums nicht beeinträchtigt wird, wodurch die Ausbeute und Konsistenz des Produkts effektiv verbessert wird. Dadurch wird die Bildung von Kristalldefekten reduziert und die Lichtausbeute und elektrische Leistung blauer und grüner LEDs deutlich verbessert. Gleichzeitig ist dieSiliziumkarbidbeschichtungverfügt über eine ausgezeichnete chemische Stabilität. Es reagiert nicht mit den chemischen Reaktanten in der MOCVD-Anlage, wodurch das Einbringen von Verunreinigungen und Korrosion der Beschichtung vermieden wird.


(II) SGL-Graphit

VeTek Semiconductorverwendet SGL-Graphit als Substrat. Während des epitaktischen Wachstums blauer und grüner LEDs kann SGL-Graphit die durch die Reaktion erzeugte Wärme schnell leiten, wodurch der Temperaturgradient des Suszeptors effektiv reduziert und die Temperaturgleichmäßigkeit im gesamten Wachstumsbereich sichergestellt wird. Dies trägt dazu bei, durch thermische Belastung verursachte Kristalldefekte zu reduzieren und die Kristallqualität und Zuverlässigkeit von LED-Chips zu verbessern.


Die gute Verarbeitungsleistung von SGL-Graphit ermöglicht die präzise Verarbeitung des Suszeptors in verschiedene komplexe Formen und Größen, um den Anforderungen verschiedener Arten von MOCVD-Geräten und LED-Herstellungsprozessen gerecht zu werden.


Technische Leistungsindikatoren der SiC-Beschichtung


Technische Leistungsindikatoren der SiC-Beschichtung
Eigentum
Typischer Wert
Kristallstruktur
Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Beschichtungsdichte
3,21 g/cm³
SiC-Beschichtungshärte
2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung
2~10μm
Chemische Reinheit
99,99995 %
SiC-Beschichtung Wärmekapazität
640 J·kg-1·K-1
Sublimationstemperatur
2700℃
Biegefestigkeit
415 MPa RT 4-Punkt
Elastizitätsmodul
430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit
300W·m-1·K-1
Wärmeausdehnung (CTE)
4,5×10-6K-1

VeTek Semiconductorverfügt über ein professionelles technisches Team, das seinen Kunden umfassende technische Beratungsdienste für LED-Epitaxie-Suszeptoren bieten kann. Ganz gleich, ob es sich um das Prinzip und die Eigenschaften des Produkts oder um die Prozessoptimierung und Problemlösung in tatsächlichen Anwendungen handelt, unsere Experten können detaillierte und professionelle Beratung bieten, um das technische Niveau und die Produktionskapazität der Kunden zu verbessern.


REM-DATEN DES CVD-SIC-BESCHICHTUNGSFILM

SEM DATA OF CVD SIC COATING FILM


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