Poröser Tantal -Carbid

Vetek Semiconductor Porous Tantal Carbid (TAC) ist ein Hochleistungskeramikmaterial, das die Eigenschaften von Tantal und Kohlenstoff kombiniert. Seine poröse Struktur ist für bestimmte Anwendungen in hohen Temperaturen und extremen Umgebungen sehr geeignet. TAC kombiniert hervorragende Härte, thermische Stabilität und chemische Resistenz und macht es zu einer idealen materiellen Wahl bei der Halbleiterverarbeitung.

Poröses Tantalcarbid (TAC) besteht aus Tantal (TA) und Kohlenstoff (C), bei dem Tantal eine starke chemische Bindung mit Kohlenstoffatomen bildet und das Material extrem hohe Haltbarkeit und Verschleißfestigkeit verleiht. Die poröse Struktur von poröser TAC wird während des Herstellungsprozesses des Materials erzeugt, und die Porosität kann entsprechend den spezifischen Anwendungsanforderungen gesteuert werden. Dieses Produkt wird normalerweise von hergestellt vonchemische Dampfabscheidung (CVD)Methode, um eine präzise Kontrolle der Porengröße und -verteilung sicherzustellen.

Molekulare Struktur von Tantal -Carbid

Vetek Semiconductor Porous Tantalal Carbid (TAC) hat die folgenden Produktmerkmale

● Porosität: Die poröse Struktur verleiht ihnen unterschiedliche Funktionen in bestimmten Anwendungsszenarien, einschließlich Gasdiffusion, Filtration oder kontrollierter Wärmeableitung.

● hoher Schmelzpunkt: Tantalcarbid hat einen extrem hohen Schmelzpunkt von etwa 3.880 ° C, was für extrem hohe Temperaturumgebungen geeignet ist.

● Hervorragende Härte: Porous TAC hat eine extrem hohe Härte von etwa 9-10 in der Härteskala von MOHS, ähnlich wie Diamond. und kann unter extremen Bedingungen mechanischen Verschleiß widerstehen.

● Wärmestabilität: Tantalcarbid (TAC) -Material kann in Hochtemperaturumgebungen stabil bleiben und weist eine starke thermische Stabilität auf, um die konsistente Leistung in Hochtemperaturumgebungen zu gewährleisten.

● hohe thermische Leitfähigkeit: Trotz seiner Porosität behält das poröse Tantal -Carbid eine gute thermische Leitfähigkeit, um eine effiziente Wärmeübertragung zu gewährleisten.

● Niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient: Der niedrige thermische Expansionskoeffizient von Tantal -Carbid (TAC) hilft, das Material unter erheblichen Temperaturschwankungen stabil zu bleiben und den Einfluss der thermischen Spannung zu verringern.

Physikalische Eigenschaften der TAC -Beschichtung

In der Semiconductor -Herstellung spielt poröse Tantal -Carbid (TAC) die folgende spezifische Schlüsselrolles

In Hochtemperaturprozessen wie z.Plasmaetchingund CVD, Vetek Semiconductor Porous Tantal Carbid wird häufig als Schutzbeschichtung für die Verarbeitungsgeräte verwendet. Dies liegt an der starken Korrosionsbeständigkeit vonTAC -Beschichtungund seine Hochtemperaturstabilität. Diese Eigenschaften stellen sicher, dass es effektiv schützt Oberflächen, die reaktiven Gasen oder extremen Temperaturen ausgesetzt sind, wodurch die normale Reaktion von Hochtemperaturprozessen sichergestellt wird.

In Diffusionsprozessen kann poröses Tantal-Carbid als wirksame Diffusionsbarriere dienen, um das Mischen von Materialien in Hochtemperaturprozessen zu verhindern. Dieses Merkmal wird häufig verwendet, um die Diffusion von Dotierstoffen in Prozessen wie Ionenimplantation und der Reinheitskontrolle von Halbleiterwafern zu kontrollieren.

Die poröse Struktur des porösen Tantal -Carbids des Vetek -Halbleiters ist sehr geeignet für Halbleiterverarbeitungsumgebungen, die eine präzise Gasströmungsregelung oder -filtration erfordern. In diesem Prozess spielt poröse TAC hauptsächlich die Rolle der Gasfiltration und -verteilung. Seine chemische Trägheit stellt sicher, dass während des Filtrationsprozesses keine Verunreinigungen eingeführt werden. Dies garantiert die Reinheit des verarbeiteten Produkts effektiv.

Tantal-Carbid (TAC) -Beschicht auf einem mikroskopischen Querschnitt