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Silizium -Carbid -Waferboot
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Silizium -Carbid -Waferboot

Das hochpurige Silizium-Carbid-Waferboot von Vetek Semiconductor besteht aus extrem reinem Siliziumcarbidmaterial mit ausgezeichneter thermischer Stabilität, mechanischer Festigkeit und chemischer Widerstand. In der Herstellung von Halbleiter, insbesondere in Hochtemperaturumgebungen, wird in Heißzonenanwendungen ein hohes Silizium-Carbid-Waferboot verwendet und spielt eine wichtige Rolle beim Schutz von Wafern, dem Transport von Materialien und der Aufrechterhaltung stabiler Prozesse. Vetek Semiconductor wird weiterhin hart an der Innovation arbeiten und die Leistung des hohen Purity-Silizium-Carbid-Waferboots verbessern, um den sich entwickelnden Bedürfnissen der Semiconductor-Herstellung gerecht zu werden. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden. Feel Free, uns zu erkundigen.

Als professioneller Hersteller möchte Vetek Semiconductor Ihnen qualitativ hochwertige Silizium -Carbid -Waferboot anbieten.

Ausgezeichnete thermische Leistung: Das hochpurige Silizium-Carbid-Waferboot von Vetek Semiconductor hat eine hervorragende thermische Leistung, ist in Hochtemperaturumgebungen stabil und hat eine ausgezeichnete thermische Leitfähigkeit, sodass sie bei weit über dem Umgebungstemperatur bei Temperaturen arbeiten können. Dadurch wird ein hohes Silizium-Carbid-Waferboot ideal für Hochleistungs- und Hochtemperaturdaueranwendungen.

Hervorragende Korrosionsbeständigkeit: Hochpurity Siliciumcarbid-Waferboot ist ein wichtiges Werkzeug für die Herstellung von Halbleiter und hat eine starke Resistenz gegen verschiedene ätzende Mittel. Als zuverlässiger Träger kann es den Auswirkungen von hoher Temperatur und Korrosion in einer chemischen Umgebung standhalten, um die sichere und effektive Verarbeitung von Siliziumcarbid -Wafern sicherzustellen. Als zuverlässiger Träger kann es den Auswirkungen von hoher Temperatur und Korrosion in einer chemischen Umgebung standhalten, um die sichere und effektive Verarbeitung von Siliziumcarbid -Wafern sicherzustellen.

Dimensionsintegrität: Das hochreinbare Silizium-Carbid-Waferboot schrumpft während des Sinterprozesses nicht, wobei die dimensionale Integrität aufrechterhalten und verbleibende Belastungen beseitigt, die dazu führen können, dass Teile sich verziehen oder knacken. Dies ermöglicht die Herstellung komplexer Teile mit präzisen Abmessungen. Unabhängig davon, ob bei der Herstellung von Halbleitergeräten oder anderen Industriefeldern ein hoher Purity-Silizium-Carbid-Waferboot eine zuverlässige dimensionale Kontrolle bietet, um sicherzustellen, dass die Teile den Spezifikationen erfüllen.

Als vielseitiges Instrument kann das hochreinheitliche Silizium-Carbid-Waferboot von Vetek Semiconductor auf eine Vielzahl von Technologien für die Herstellung von Halbleitern angewendet werden, einschließlich epitaxielles Wachstum und chemischer Dampfabscheidung. Sein haltbares Design und die nicht reaktive Natur machen das hohe Silizium-Carbid-Waferboot für eine Vielzahl von Verarbeitungschemien geeignet, um sicherzustellen, dass es sich reibungslos an verschiedene Verarbeitungsumgebungen anpassen kann.

In der Herstellung von Halbleiter sind epitaxiale Wachstum und chemische Dampfabscheidung gemeinsame Prozessschritte, mit denen qualitativ hochwertige Wafer und Dünnfilme erweitert werden. Das hohe SIC-Boot spielt eine wichtige Rolle als Träger, der dem Einfluss hoher Temperaturen und Chemikalien standhalten kann, um genaue Wachstums- und Abscheidungsprozesse sicherzustellen.

Zusätzlich zu seinem haltbaren Design ist das hohe SIC-Boot nicht reaktiv. Dies bedeutet, dass es nicht nachteilig mit Verarbeitungschemikalien reagiert und so die Integrität und Leistung des Bootes aufrechterhält. Dies bietet Halbleiterherstellern ein zuverlässiges Instrument, um die Konsistenz und Wiederholbarkeit im Produktionsprozess zu gewährleisten.


Physikalische Eigenschaften von rekristallisiertem Siliziumkarbid

Physikalische Eigenschaften von rekristallisiertem Siliziumkarbid
Eigentum Typischer Wert
Arbeitstemperatur (° C) 1600 ° C (mit Sauerstoff), 1700 ° C (Reduzierung der Umgebung)
Sic -Inhalt > 99,96%
Kostenloser Si -Inhalt <0,1%
Schüttdichte 2,60-2,70 g/cm3
Scheinbare Porosität <16%
Kompressionsstärke > 600 MPa
Kaltbiege Stärke 80-90 MPa (20 ° C)
Heiße Biegekraft 90-100 MPa (1400 ° C)
Wärmeausdehnung bei 1500 ° C. 4.70 10-6/° C
Wärmeleitfähigkeit bei 1200 ° C. 23 w/m • k
Elastizitätsmodul 240 GPA
Wärmeschockwiderstand Extrem gut


Vergleichen Sie den Semiconductor Production Shop:

VeTek Semiconductor Production Shop


Überblick über die Semiconductor Chip Epitaxy Industry -Kette:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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