Intelligente Schneidetechnologie für Kubik -Silizium -Carbid -Wafer

Smart Cut ist ein fortschrittlicher Semiconductor -Herstellungsprozess, der auf Ionenimplantation basiert undWaferStripping, speziell für die Herstellung von ultra-dünn- und hoch einheitlichen 3C-SIC-Wafern (Kubik-Silizium-Carbid). Es kann ultradünne Kristallmaterialien von einem Substrat auf ein anderes übertragen, wodurch die ursprünglichen physikalischen Einschränkungen gebrochen und die gesamte Substratindustrie verändert werden.

Im Vergleich zum herkömmlichen mechanischen Schneiden optimiert die Smart Cut -Technologie die folgenden Schlüsselindikatoren erheblich:

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Verbesserung der Nutzungsrate von Materialien

Bei herkömmlichen Produktionsmethoden verschwenden die Schnitt- und Polierprozesse von Siliziumcarbid -Wafern eine beträchtliche Menge an Rohstoffen. Die Smart Cut -Technologie erreicht durch einen Schichtprozess eine höhere Materialnutzungsrate, was für teure Materialien wie 3C SIC besonders wichtig ist.

Erhebliche Kosteneffizienz

Die wiederverwendbare Substratfunktion von Smart Cut kann die Nutzung von Ressourcen maximieren und damit die Herstellungskosten verringern. Für Halbleiterhersteller kann diese Technologie die wirtschaftlichen Vorteile von Produktionslinien erheblich verbessern.

Wafer -Leistungsverbesserung

Die durch Smart Cut erzeugten dünnen Schichten haben weniger Kristalldefekte und eine höhere Konsistenz. Dies bedeutet, dass die von dieser Technologie produzierten 3C -SIC -Wafer eine höhere Elektronenmobilität tragen können und die Leistung von Halbleitergeräten weiter verbessern können.

Unterstützung nachhaltig

Durch die Reduzierung von Materialabfällen und Energieverbrauch erfüllt die Smart Cut -Technologie die wachsenden Umweltschutzanforderungen der Halbleiterindustrie und bietet den Herstellern einen Weg, sich in Richtung nachhaltiger Produktion zu verwandeln.

Die Innovation der Smart Cut -Technologie spiegelt sich in ihrem hoch kontrollierbaren Prozessfluss wider:

1.Precision Ionimplantation ‌

A. Multi-Energy-Wasserstoffionenstrahlen werden zur Schichtinjektion verwendet, wobei der Tiefenfehler innerhalb von 5 nm gesteuert wird.

B. Durch die dynamische Dosisanpassungstechnologie wird Gitterschäden (Defektdichte <100 cm⁻²) vermieden.

2. Temperatur-Wafer-Bindung ‌

A.Die Waferverklebung wird durch Plasma erreichtEine Aktivierung unter 200 ° C, um den Einfluss der thermischen Belastung auf die Geräteleistung zu verringern.

3.Intelligent Stripping Control ‌

A. Integrierte Echtzeit-Stresssensoren sorgen während des Abblätterungsprozesses (ergibt> 95%).

4.Youdaoplaceholder0 Oberflächenpolieroptimierung ‌

A. Durch die Einführung der CMP -Technologie (Chemical Mechanical Polishing) wird die Oberflächenrauheit auf den Atomniveau (RA 0,3 nm) reduziert.

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