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TAC -Beschichtung Chuck
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TAC -Beschichtung Chuck

Vetek Semiconductor's TAC Coating Chuck verfügt über eine hochwertige Beschichtung der Oberfläche, die für ihre hervorragende Hochtemperaturresistenz und chemische Inertheit bekannt ist, insbesondere bei Siliziumcarbid (SIC) -Pitaxy (EPI) -Prozessen. Mit seinen außergewöhnlichen Funktionen und seinen überlegenen Leistung bietet unser TAC Coating Chuck mehrere wichtige Vorteile. Wir sind bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen bereitzustellen, und freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu sein.

Das TAC -Coating Chuck von Vetek Semiconductor ist die ideale Lösung, um außergewöhnliche Ergebnisse im SIC -EPI -Prozess zu erzielen. Mit seiner tantalen Carbidbeschichtung, der Hochtemperaturresistenz und der chemischen Inertheit ermöglicht unser Produkt Sie, hochwertige Kristalle mit Präzision und Zuverlässigkeit zu produzieren.



TAC Tantal -Carbid ist ein Material, das üblicherweise verwendet wird, um die Oberfläche der inneren Teile von epitaxialen Geräten zu beschichten. Es hat die folgenden Eigenschaften:


Tantalum carbide coating on a microscopic cross-section

Hervorragender Hochtemperaturwiderstand: Tantal -Carbidbeschichtung kann den Temperaturen bis zu 2200 ° C standhalten, was sie ideal für Anwendungen in Hochtemperaturumgebungen wie epitaxiale Reaktionskammern macht.


Hohe Härte: Die Härte des Tantal -Carbids erreicht etwa 2000 HK, was viel schwieriger ist als häufig verwendete Edelstahl- oder Aluminiumlegierung, was effektiv die Oberflächenverschleiß verhindern kann.


Starke chemische Stabilität: Die Tantal -Carbidbeschichtung funktioniert in chemisch korrosiven Umgebungen gut und kann die Lebensdauer der epitaxialen Gerätekomponenten erheblich verlängern.


Gute elektrische Leitfähigkeit: Die Schichtfläche hat eine gute elektrische Leitfähigkeit, die der elektrostatischen Freisetzung und Wärmeleitung förderlich ist.


Diese Eigenschaften machen TAC -Tantal -Carbid -Beschichtung zu einem idealen Material für die Herstellung kritischer Teile wie Innenbuchsen, Reaktionskammerwände und Heizelemente für epitaxiale Geräte. Durch die Beschichtung dieser Komponenten mit TAC kann die Gesamtleistung und Lebensdauer der epitaxialen Geräte verbessert werden.


Für Siliziumkarbid -Epitaxie kann auch TAC -Beschichtungsblock eine wichtige Rolle spielen. Die Oberflächenbeschichtung ist glatt und dicht, was der Bildung hochwertiger Siliziumcarbidfilme förderlich ist. Gleichzeitig kann die hervorragende thermische Leitfähigkeit von TAC dazu beitragenSiliziumkarbid -EpitaxialSchichtwachstum.


Produktparameter des TAC Tantal -Carbid -Beschichtungsblocks

Physikalische Eigenschaften der TAC -Beschichtung
Beschichtungsdichte 14,3 (g/cm³)
Spezifischer Emissionsvermögen 0.3
Wärmeleitkoeffizient 6.3*10-6/K
Härte (HK) 2000 HK
Widerstand 1 × 10-5Ohm*cm
Wärmestabilität <2500 ℃
Graphitgröße ändert sich -10 ~ -20um
Beschichtungsdicke ≥ 20 um einen typischen Wert (35 € ± 10um)


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