Poröser Graphit mit Tantal -Carbidbeschichtet

VeTek-Halbleiter-Tantalkarbid-beschichteter poröser Graphit hat sich aufgrund seiner extrem hohen Temperaturbeständigkeit (Schmelzpunkt um 3880 °C), seiner hervorragenden thermischen Stabilität, mechanischen Festigkeit und chemischen Inertheit in Hochtemperaturumgebungen zu einem Siliziumkarbid (SiC)-Kristall entwickelt. Ein unverzichtbares Material im Wachstumsprozess. Insbesondere seine poröse Struktur bietet viele technische VorteileKristallwachstumsprozess. 

Das Folgende ist eine detaillierte Analyse vonPoröser Graphit mit Tantal -CarbidbeschichtetKernrolle:

● Verbessern Sie die Effizienz des Gasflusses und steuern Sie Prozessparameter genau

Die mikroporöse Struktur von poröser Graphit kann die gleichmäßige Verteilung von Reaktionsgasen (wie Carbidgas und Stickstoff) fördern und so die Atmosphäre in der Reaktionszone optimieren. Dieses Merkmal kann die lokale Ansammlung von Gas oder Turbulenzprobleme effektiv vermeiden, sicherstellen, dass SIC -Kristalle während des gesamten Wachstumsprozesses gleichmäßig gestresst werden und die Defektrate stark verringert wird. Gleichzeitig ermöglicht die poröse Struktur auch eine präzise Einstellung der Gasdruckgradienten, die Kristallwachstumsraten weiter optimieren und die Produktkonsistenz verbessern.

●  Reduzieren Sie die Ansammlung thermischer Spannungen und verbessern Sie die Kristallintegrität

Bei Hochtemperaturoperationen mindert die elastischen Eigenschaften von porösen Tantal-Carbid (TAC) die durch Temperaturunterschiede verursachten thermischen Spannungskonzentrationen signifikant. Diese Fähigkeit ist besonders wichtig, wenn Sie SIC -Kristalle anbauen, das Risiko einer thermischen Rissbildung verringern und so die Integrität der Kristallstruktur und Verarbeitungsstabilität verbessern.

●  Optimieren Sie die Wärmeverteilung und verbessern Sie die Effizienz der Energienutzung

Die Tantalcarbid-Beschichtung verleiht porösem Graphit nicht nur eine höhere Wärmeleitfähigkeit, sondern seine porösen Eigenschaften können auch die Wärme gleichmäßig verteilen und so eine äußerst gleichmäßige Temperaturverteilung im Reaktionsbereich gewährleisten. Dieses gleichmäßige Wärmemanagement ist die Grundvoraussetzung für die Herstellung hochreiner SiC-Kristalle. Außerdem kann es die Heizeffizienz erheblich verbessern, den Energieverbrauch senken und den Produktionsprozess wirtschaftlicher und effizienter gestalten.

●  Verbessern Sie die Korrosionsbeständigkeit und verlängern Sie die Lebensdauer der Komponenten

Gase und Nebenprodukte in Hochtemperaturumgebungen (wie Wasserstoff- oder Siliziumkarbiddampfphase) können zu schweren Korrosionen für Materialien führen. Die TAC -Beschichtung bietet eine hervorragende chemische Barriere für poröse Graphit, wodurch die Korrosionsrate der Komponente erheblich reduziert wird und so die Lebensdauer verlängert. Darüber hinaus sorgt die Beschichtung für die langfristige Stabilität der porösen Struktur und stellt sicher, dass Gastransporteigenschaften nicht betroffen sind.

●  Blockiert effektiv die Verbreitung von Verunreinigungen und sorgt für Kristallreinheit

Die unbeschichtete Graphitmatrix kann Spurenmengen an Verunreinigungen freisetzen, und die TAC-Beschichtung wirkt als Isolationsbarriere, um zu verhindern, dass diese Verunreinigungen in einer Hochtemperaturumgebung in den SIC-Kristall diffuse. Dieser Abschirmeffekt ist entscheidend für die Verbesserung der Kristallreinheit und zur Erfüllung der strengen Anforderungen der Halbleiterindustrie für hochwertige SIC-Materialien.

Der mit Tantalkarbid beschichtete poröse Graphit von VeTek Semiconductor verbessert die Prozesseffizienz und Kristallqualität erheblich, indem er den Gasfluss optimiert, thermische Spannungen reduziert, die thermische Gleichmäßigkeit verbessert, die Korrosionsbeständigkeit erhöht und die Diffusion von Verunreinigungen während des SiC-Kristallwachstumsprozesses hemmt. Der Einsatz dieses Materials gewährleistet nicht nur eine hohe Präzision und Reinheit in der Produktion, sondern senkt auch die Betriebskosten erheblich und macht es zu einem wichtigen Pfeiler in der modernen Halbleiterfertigung.

Noch wichtiger ist, dass Veteksemi der Halbleiterherstellungsbranche seit langem fortschrittlicher Technologie und Produktlösungen bereitstellt und die maßgeschneiderten porösen Graphitproduktdienste von Tantal Carbid beschichtet wird. Wir freuen uns aufrichtig darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

Physikalische Eigenschaften der Tantal -Carbidbeschichtung

Vetek Semiconductor Tantalal Carbid beschichtete poröse Graphitproduktionsgeschäfte