Mit Tantalcarbid (TaC) beschichteter poröser Graphit für das SiC-Kristallwachstum

Der mit Tantalkarbid beschichtete poröse Graphit von VeTek Semiconductor wurde entwickelt, um die SiC-Kristallwachstumsumgebung durch vier technische Kernfunktionen zu optimieren:

● Dampfkomponentenfiltration: Die präzise poröse Struktur fungiert als hochreiner Filter und stellt sicher, dass nur die gewünschten Dampfphasen zur Kristallbildung beitragen, wodurch die Gesamtreinheit verbessert wird.

● Präzise Temperaturregelung: Die TaC-Beschichtung verbessert die thermische Stabilität und Leitfähigkeit und ermöglicht so eine genauere Anpassung lokaler Temperaturgradienten und eine bessere Kontrolle der Wachstumsraten.

● Geführte Fließrichtung: Das strukturelle Design ermöglicht einen geführten Stofffluss und stellt sicher, dass die Materialien genau dort ankommen, wo sie benötigt werden, um ein gleichmäßiges Wachstum zu fördern.

● Effektive Leckagekontrolle: Unser Produkt bietet hervorragende Dichtungseigenschaften, um die Integrität und Stabilität der Wachstumsatmosphäre aufrechtzuerhalten.

Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung

Vergleich mit traditionellem Graphit

Tantalcarbid (TaC)-Beschichtung auf einem mikroskopischen Querschnitt

Auswirkungen auf die Anwendung: Fehlerminimierung im PVT-Prozess

Beim PVT-Prozess (Physical Vapour Transport) werden durch den Ersatz von herkömmlichem Graphit durch TaC-beschichteten porösen Graphit von VeTek direkt die im Diagramm dargestellten häufigen Mängel behoben:

● EBegrenzung von Kohlenstoffeinschlüssen: Indem es als Barriere gegen feste Partikel fungiert, werden Kohlenstoffeinschlüsse effektiv beseitigt und Mikroröhren reduziert, die in herkömmlichen Tiegeln häufig vorkommen.

● Wahrung der strukturellen Integrität: Es verhindert die Bildung von Ätzgruben und Mikrotubuli während des SiC-Einkristallwachstums mit langen Zyklen.

● Höhere Ausbeute und Qualität: Im Vergleich zu herkömmlichen Materialien sorgen die TaC-beschichteten Komponenten für eine sauberere Wachstumsumgebung, was zu einer deutlich höheren Kristallqualität und Produktionsausbeute führt.