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Poröser Graphit mit TAC beschichtet
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Poröser Graphit mit TAC beschichtet

Poröse Graphit mit TAC -beschichtet ist ein von Vetek Semiconductor bereitgestellter fortschrittlicher Halbleiterverarbeitungsmaterial. Poröse Graphit mit TAC -beschichtetem kombiniert die Vorteile der porösen Graphit- und Tantal -Carbid -Beschichtung (TAC) mit guter thermischer Leitfähigkeit und Gasdurchlässigkeit. Vetek Semiconductor ist bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen bereitzustellen.

Vetekemicon ist China Hersteller und Lieferant, der hauptsächlich produziertPoröser Graphitmit TAC mit vielen Jahren Erfahrung. Ich hoffe, die Geschäftsbeziehung mit Ihnen aufzubauen.


Vetekemicon hat ein revolutionäres Halbleiter -Herstellungsmaterial mit dem Namen Porous Graphit mit TAC -beschichtetem Material auf den Markt gebrachtTantal -Carbid (TAC) -Mehne. Dieses Material bietet herausragende Durchlässigkeit und hohe Porosität und erreicht eine Rekordindustrie maximal 75%. Die hohe Purity-TAC-Beschichtung verbessert nicht nur Korrosion und Verschleißfestigkeit, sondern bietet auch eine zusätzliche Schutzschicht, was die Verarbeitungs- und Korrosionsprobleme effektiv behandelt.


Die unsachgemäße Verwendung von Tiegelmaterialien wie Graphit, poröser Graphit und Tantal-Carbidpulver in Hochtemperaturumgebungen kann zu Defekten wie einer erhöhten Kohlenstoffeinschluss führen. Manchmal kann die Permeabilität von poröser Graphit nicht ausreichen, was zusätzliche Löcher für eine verbesserte Permeabilität erfordert. Poröse Graphit mit hoher Permeabilität ist verarbeitet, Pulverentfernung und Radierprobleme ausgesetzt.


VetekemaMon führt ein neuartiges sic -kristallanbautes thermisches Feldmaterial, poröser Graphit mit Tantal -Carbid -Beschichtung ein. Tantal -Carbid ist bekannt für seine hohe Festigkeit und Härte, aber es ist eine bedeutende Herausforderung, poröses Tantal -Carbid mit großer Porosität und hoher Reinheit zu erzeugen. Vetek Semiconductor hat innovativ poröses Tantal -Carbid entwickelt, wobei maximale Porosität 75%erreicht und neue Standards in der Branche festgelegt hat.


Die Verwendung von TAC-beschichteten porösen Graphit kann die Effizienz und Qualität des Halbleiterherstellungsprozesses erheblich verbessern. Seine hervorragende Durchlässigkeit gewährleistet die Stabilität des Materials unter hohen Temperaturbedingungen und kontrolliert effektiv die Zunahme von Kohlenstoffverunreinigungen. Gleichzeitig bietet das Design mit hoher Porosität eine bessere Leistung der Gasdiffusion, um eine reine Wachstumsumgebung aufrechtzuerhalten.


Wir setzen uns dafür ein, Kunden einen ausgezeichneten porösen Graphit mitzubringenTAC beschichtetMaterialien, um die Bedürfnisse der Semiconductor Manufacturing Industry zu erfüllen. Ob in Forschungslabors oder in der industriellen Produktion, dieses fortschrittliche Material kann Ihnen helfen, eine hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit zu erzielen. Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über dieses revolutionäre Material zu erfahren und Ihre Innovationsreise zu beginnen, um die Herstellung von Halbleiter voranzutreiben.


PVT -Methode SIC -Kristallwachstum:

PVT method SiC Crystal Growth working diagram

Produktparameter des porösen Graphits mit TAC beschichtet

Physikalische Eigenschaften der Tantal -Carbidbeschichtung
Beschichtungsdichte 14,3 (g/cm³)
Spezifischer Emissionsvermögen 0.3
Wärmeleitkoeffizient 6.3 10-6/K
Härte (HK) 2000 HK
Widerstand 1 × 10-5Ohm*cm
Wärmestabilität <2500 ℃
Graphitgröße ändert sich -10 ~ -20um
Beschichtungsdicke ≥ 20 um einen typischen Wert (35 € ± 10um)

Vetek Semiconductor Porous Graphit mit TAC -beschichteter Produktion Geschäft

sic coated Graphite substratePorous Graphite with TaC Coated testSilicon carbide ceramic processSemiconductor process equipment



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