Aluminiumnitrid (AlN)-Wafer

1. Hauptmerkmale und Vorteile

• Ultrabreite Bandlücke ≈ 6,2 eV – die höchste unter den gängigen Halbleitermaterialien

• Hohe Wärmeleitfähigkeit ≈ 320 W/m·K für effiziente Wärmeableitung

• Hervorragende elektrische Isolierung (>10¹³ Ω·cm) und hohes Durchschlagsfeld (12–15 MV/cm)

• Gute Gitter- und Wärmeausdehnungsanpassung mit GaN – ideal für GaN-auf-AlN-Heterostrukturen

• Optionen mit geringer Versetzungsdichte und strenger HR-XRD-Rocking-Curve-Kontrolle

• Al-Face CMP (Ra ≤ 0,5 nm) und N-Face MP für epi-ready-Oberflächen

• Mehrere Größen und Qualitätsstufen (P/R/D) passend zu Produktions- und Forschungsanforderungen

2. Typische Anwendungen

• Hochleistungs-HF-Geräte für Radar und 6G-Kommunikation

• Hochspannungs-Leistungselektronik für Netze, Rechenzentren und Elektrofahrzeuge

• LEDs und Laserdioden im tiefen Ultraviolett (UVC).

• GaN-auf-AlN-Epitaxiewachstum und fortschrittliche Heterostrukturbauelemente

• Halbleiterkomponenten für hohe Temperaturen, hohe Frequenzen und raue Umgebungen

3. Verfügbare Größen und Qualitätsstufen

VeTek bietet AlN-Wafer in den folgenden Standardformaten an. Sondergrößen und Spezifikationen können auf Anfrage besprochen werden.

• 10 × 10 mm quadratische Substrate

• 1-Zoll (25,4 mm) Wafer

• 2-Zoll (50,8 mm) Wafer

Qualitätsstufen: P-Klasse (Produkt), R-Klasse (Forschung), D-Klasse (experimentell), unterschieden hauptsächlich durch HR-XRD-Rocking-Kurve FWHM und Gesamtkristallqualität.

4. Wichtige technische Spezifikationen

Gemeinsame Parameter aller Größen (typische Werte; klassenabhängig, sofern angegeben):

Größenspezifische geometrische Toleranzen:

• 10×10 mm: Seitenlänge 10 mm ± 0,5 mm; TTV ≤ 15 μm; Bogen ≤ 15 μm

• 1 Zoll: Durchmesser 25,4 mm ± 0,5 mm; Nutzfläche ≥ 90 %; TTV ≤ 20 μm; Bogen ≤ 20 μm; Primärfläche (10-10) ± 5°, Länge 8 mm ± 1 mm

• 2 Zoll: Durchmesser 50,8 mm ± 0,5 mm; Nutzfläche ≥ 90 %; TTV ≤ 30 μm; Bogen ≤ 30 μm; Primärflachlänge 16 mm ± 2 mm

5. Warum sollten Sie sich für AlN-Wafer von VeTek entscheiden?

Als spezialisierter Lieferant von fortschrittlichen Halbleitermaterialien und -komponenten bietet VeTek Semiconductor:

• Hochwertige AlN-Einkristallwafer mit kontrollierter Kristallqualität und Epi-Ready-Oberflächen

• Mehrere Größen- und Qualitätsoptionen zur Unterstützung sowohl der Geräteproduktion als auch von Forschungsprogrammen

• Ergänzende Wafer- und Substratlösungen im Rahmen des VeTek-Halbleitermaterialportfolios

• Technische Unterstützung bei der Materialauswahl und Prozessanpassung

Unsere AlN-Wafer unterstützen Kunden dabei, die Entwicklung leistungsstarker HF-, Hochspannungs- und Tief-UV-optoelektronischer Geräte zu beschleunigen, die die einzigartige Kombination aus ultrabreiter Bandlücke, hoher Wärmeleitfähigkeit und GaN-Kompatibilität von Aluminiumnitrid erfordern.