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CVD sic beschichtete Graphit -Duschkopf
  • CVD sic beschichtete Graphit -DuschkopfCVD sic beschichtete Graphit -Duschkopf

CVD sic beschichtete Graphit -Duschkopf

Der CVD SIC Coated Graphit-Duschkopf von Vetekememon ist eine Hochleistungskomponente, die speziell für die Prozesse zur Ablagerung des Halbleiterchemikas Dampf (CVD) ausgelegt ist. Dieser Duschkopf wird aus hochreinigem Graphit hergestellt und mit einer Siliziumcarbidbeschichtung (SIC) für chemische Dampfablagerung (CVD) geschützt und bietet herausragende Haltbarkeit, thermische Stabilität und Widerstand gegen korrosive Prozessgase. Ich freue mich auf Ihre weitere Beratung.

Vetekemicon CVD SIC Coated Graphit Duschkopf, seine präzisionsmotorierte Oberfläche sorgt für eine gleichmäßige Gasverteilung, die für die Erreichung einer konsistenten Filmablagerung zwischen Wafern entscheidend ist. DerSic -BeschichtungVerbessert nicht nur den Verschleißfestigkeit und die Oxidationsbeständigkeit, sondern erweitert auch die Lebensdauer der Lebensdauer unter harten Prozessbedingungen.


Der CVD-sic-beschichtete Graphit-Duschkopf, der bei der Herstellung von Halbleiter-Wafer, Epitaxie und Dünnfilmablagerung weit verbreitet ist, ist eine ideale Wahl für Hersteller, die eine zuverlässige, hohe Purity- und lang anhaltende Prozesskomponenten anstreben, die den Anforderungen der Semoniconductor-Produktion der nächsten Generation entsprechen.


Veteksemi CVD-Silizium-Carbid-Duschkopf wird aus chemischem Dampf mit hohem Purity-abgelagertem Siliziumcarbid hergestellt und für CVD- und MOCVD-Prozesse in den Halbleiter-, LED- und Advanced Electronics Industries optimiert. Die ausstehende thermische Stabilität, die Korrosionsbeständigkeit und die gleichmäßige Gasverteilung gewährleisten einen langfristigen stabilen Betrieb in hochtemperaturen, hochkorrosiven Umgebungen, wodurch die Wiederholbarkeit und den Ertrag der Prozesse signifikant verbessert wird.


Vetekemicon CVD Sic Coated Graphit Duschkopf Kernvorteile


Ultrahohe Reinheit und Dichte

Der CVD SIC beschichtete Graphit-Duschkopf wird unter Verwendung eines CVD-hohen CVD-Verfahrens hergestellt, wodurch eine materielle Reinheit von ≥ 99,9995%gewährleistet ist, wodurch metallische Verunreinigungen beseitigt werden. Seine nicht-poröse Struktur verhindert effektiv Gaspermeation und Partikelabschüttung, was sie ideal für Halbleiterpitaxie und fortschrittliche Verpackungsprozesse, die eine extrem hohe Sauberkeit erfordern, ideal sind. Im Vergleich zu herkömmlichen Sinter-SIC- oder Graphitkomponenten hält unser Produkt auch nach längerem Hochtemperaturbetrieb eine stabile Leistung bei, die die Wartungsfrequenz und die Produktionskosten senkt.


Ausgezeichnete thermische Stabilität

Bei Hochtemperatur-CVD- und MOCVD-Prozessen sind herkömmliche Materialien aufgrund von thermischer Belastung anfällig für Verformungen oder Risse. Der CVD SIC -Duschkopf hält Temperaturen bis zu 1600 ° C und verfügt über einen extrem niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten, wodurch die strukturelle Stabilität während der schnellen Temperatur zunimmt und abnimmt. Die gleichmäßige thermische Leitfähigkeit optimiert die Temperaturverteilung innerhalb der Reaktionskammer weiter und minimiert die Unterschiede zwischen den Ablagerungsraten zwischen Waferkante und Mitte und Verbesserung der Gleichmäßigkeit der Film.


Anti-Plasma-Korrosion

Während der Ätzen- oder Ablagerungsprozesse, hochkarrosiven Gase (wie z. B. vgl.4, Cl2und HBR) schnell herkömmliche Quarz- oder Graphitkomponenten untergraben. Das CVD-SIC-Material weist in Plasmaumgebungen eine außergewöhnliche Korrosionsbeständigkeit mit einer Lebensdauer des 3-5-fachen der von herkömmlichen Materialien auf. Tatsächliche Kundentests haben gezeigt, dass auch nach 2000 Stunden kontinuierlicher Betrieb die Variation der Porengrößen innerhalb von ± 1%bleibt, was eine langfristige stabile Gasflussverteilung gewährleistet.


Lange Lebensdauer und niedrige Wartungskosten

Während herkömmliche Graphitkomponenten häufiger Ersatz erfordern, behält der CVD -Duschkopf mit sicbeschichtet auch in rauen Umgebungen eine stabile Leistung bei. Dies senkt die Gesamtkosten um über 40%. Darüber hinaus verhindert die hohe mechanische Festigkeit des Materials versehentliche Beschädigungen während der Handhabung oder Installation.


Überprüfung der ökologischen Kette

Die ökologische Kettenüberprüfung von Vetekemicon CVD -Silizium -Carbid -Duschhead umfasst Rohstoffe für die Produktion, hat eine internationale Standardzertifizierung bestanden und über eine Reihe von patentierten Technologien verfügt, um die Zuverlässigkeit und Nachhaltigkeit im Halbleiter- und Neuenergiefelder zu gewährleisten.


Technische Parameter

Projekt
Parameter
Material
CVD SIC (verfügbare Beschichtungsoptionen)
Durchmesserbereich
100 mm-450mm (anpassbar)
Dicke Toleranz
± 0,05 mm
Oberflächenrauheit
≤ 0,2 μm
Anwendbarer Prozess
CVD/MOCVD/PECVD/Radierung/Epitaxie


Hauptantragsfelder

Anwendungsrichtung
Typisches Szenario
Semiconductor Manufacturing
Silizium -Epitaxie, Gan/Gaas -Geräte
Leistungselektronik
SIC -Epitaxialwaferproduktion
LED
MOCVD -Saphir -Substratabscheidung
Wissenschaftliche Forschungsausrüstung
Hochvorbereitungs-Dünnfilm-Abscheidungssystem


Überprüfung der ökologischen Kette

Die ökologische Kettenüberprüfung von Vetekemicon CVD -Silizium -Carbid -Duschhead umfasst Rohstoffe für die Produktion, hat eine internationale Standardzertifizierung bestanden und über eine Reihe von patentierten Technologien verfügt, um die Zuverlässigkeit und Nachhaltigkeit im Halbleiter- und Neuenergiefelder zu gewährleisten.


Detaillierte technische Spezifikationen, weiße Papiere oder BeispieltestvereinbarungenWenden Sie sich an unser technisches Support -TeamUm zu untersuchen, wie Vetekememon Ihre Prozesseffizienz verbessern kann.


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