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CVD -SIC -Beschichtungsschale
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CVD -SIC -Beschichtungsschale

Veteks CVD -SIC -Beschichtungslaffel wird hauptsächlich in der SI -Epitaxie verwendet. Es wird normalerweise mit Siliziumverlängerungsfässern verwendet. Es kombiniert die einzigartige hohe Temperatur und Stabilität der CVD -SIC -Beschichtung, die die gleichmäßige Verteilung des Luftstroms bei der Herstellung von Halbleiter erheblich verbessert. Wir glauben, dass unsere Produkte Ihnen fortschrittliche Technologie und qualitativ hochwertige Produktlösungen bringen können.

Als professioneller Hersteller möchten wir Ihnen eine hohe Qualität bietenCVD -SIC -Beschichtungsschale.


Durch kontinuierliche Prozes- und materielle Innovationsentwicklung,Es Halbleiter'SCVD -SIC -Beschichtungsschalehat die einzigartigen Eigenschaften der Stabilität mit hoher Temperatur, Korrosionsbeständigkeit, hoher Härte und Verschleißfestigkeit. Diese einzigartigen Merkmale bestimmen, dass die CVD -SIC -Beschichtungslaffel eine wichtige Rolle im epitaxialen Prozess spielt, und seine Rolle enthält hauptsächlich die folgenden Aspekte:


Einheitliche Verteilung des Luftstroms: Das geniale Design von CVD -SIC -Beschichtung kann während des Epitaxieprozesses eine einheitliche Verteilung des Luftstroms erreichen. Einheitlicher Luftstrom ist für ein gleichmäßiges Wachstum und die Qualitätsverbesserung von Materialien unerlässlich. Das Produkt kann den Luftstrom effektiv leiten, übermäßigen oder schwachen lokalen Luftströmen vermeiden und die Gleichmäßigkeit von epitaxialen Materialien sicherstellen.


Steuern Sie den Epitaxieprozess: Die Position und das Design von CVD -SIC -Beschichtung können die Durchflussrichtung und die Geschwindigkeit des Luftstroms während des Epitaxieprozesses genau steuern. Durch die Anpassung seines Layouts und seiner Form kann eine präzise Steuerung des Luftstroms erreicht werden, wodurch die Epitaxienbedingungen optimiert und die Epitaxienertrag und Qualität verbessert werden.


Materialverlust reduzieren: Eine angemessene Einstellung der CVD -SIC -Beschichtung kann den Materialverlust während des Epitaxieprozesses verringern. Eine gleichmäßige Luftstromverteilung kann die durch ungleichmäßige Erwärmung verursachte thermische Belastung verringern, das Risiko von Materialbruch und Schäden verringern und die Lebensdauer von epitaxialen Materialien verlängern.


Verbesserung der Effizienz der Epitaxie: Das Design von CVD -SIC -Beschichtung kann die Effizienz der Luftstromübertragung optimieren und die Effizienz und Stabilität des Epitaxieprozesses verbessern. Durch die Verwendung dieses Produkts können die Funktionen der epitaxialen Geräte maximiert werden, die Produktionseffizienz verbessert werden und der Energieverbrauch verringert werden kann.


Grundlegende physikalische Eigenschaften vonCVD -SIC -Beschichtungsschale



CVD SIC Coating Production Shop:


VeTek Semiconductor Production Shop


Überblick über die Halbleiter -Chip -Epitaxie -Industriekette:


Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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