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CVD-SiC-Beschichtungsring
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CVD-SiC-Beschichtungsring

Der CVD -SIC -Beschichtungsring ist einer der wichtigsten Teile der Halbmoon -Teile. Zusammen mit anderen Teilen bildet es die sic -epitaxiale Wachstumsreaktionskammer. Vetek Semiconductor ist ein professioneller Hersteller und Lieferant von CVD -SIC -Beschichtungsring. Nach den Entwurfsanforderungen des Kunden können wir den entsprechenden CVD -SIC -Beschichtungsring zum wettbewerbsfähigsten Preis bereitstellen. Vetek Semiconductor freut sich darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

Es gibt viele kleine Teile in den Halbmondteilen, und der SiC-Beschichtungsring ist einer davon. Durch Auftragen einer SchichtCVD -SIC -BeschichtungAuf der Oberfläche des High-Purity-Graphitrings nach CVD-Methode können wir CVD-SIC-Beschichtungsring erhalten. SIC -Beschichtungsring mit SIC -Beschichtung hat hervorragende Eigenschaften wie Hochtemperaturbeständigkeit, ausgezeichnete mechanische Eigenschaften, chemische Stabilität, gute thermische Leitfähigkeit, gute elektrische Isolierung und exzellente Oxidationsresistenz.Bestatterzusammenarbeiten.


SiC coating ring and cooperating susceptor

SiC-Beschichtungsring und CoBestatter

Die Funktionen des CVD -SIC -Beschichtungsrings:



  ●   Durchflussverteilung: Das geometrische Design des SIC -Beschichtungsrings bildet ein gleichmäßiges Gasströmungsfeld, so dass das Reaktionsgas die Oberfläche des Substrats gleichmäßig bedecken kann, wodurch ein einheitliches epitaxielles Wachstum gewährleistet wird.


  ●  Wärmeaustausch und Temperatur Gleichmäßigkeit: Der CVD-SiC-Beschichtungsring bietet eine gute Wärmeaustauschleistung und sorgt so für eine gleichmäßige Temperatur des CVD-SiC-Beschichtungsrings und des Substrats. Dadurch können durch Temperaturschwankungen verursachte Kristalldefekte vermieden werden.


  ●  Schnittstellenblockierung: Der CVD-SiC-Beschichtungsring kann die Diffusion von Reaktanten bis zu einem gewissen Grad begrenzen, sodass diese in einem bestimmten Bereich reagieren und so das Wachstum hochwertiger SiC-Kristalle fördern.


  ●  Unterstützungsfunktion: Der CVD -SIC -Beschichtungsring wird mit der folgenden Scheibe kombiniert, um eine stabile Struktur zu bilden, um eine Verformung in hoher Temperatur und Reaktionsumgebung zu verhindern und die Gesamtstabilität der Reaktionskammer aufrechtzuerhalten.


VeTek Semiconductor ist stets bestrebt, seinen Kunden hochwertige CVD-SiC-Beschichtungsringe anzubieten und ihnen dabei zu helfen, Komplettlösungen zu wettbewerbsfähigsten Preisen anzubieten. Egal welche Art von CVD-SiC-Beschichtungsring Sie benötigen, wenden Sie sich bitte an VeTek Semiconductor!


SEM -Daten der CVD -SIC -Filmkristallstruktur:


CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD -sic -Beschichtung:


Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum
Typischer Wert
Kristallstruktur
Polykristalline FCC -β -Phasen -FCC -β -Phase, hauptsächlich (111) orientiert
Dichte
3,21 g/cm³
Härte
2500 Vickers Härte (500 g Last)
Körnung
2 ~ 10 mm
Chemische Reinheit
99,99995 %
Wärmekapazität
640 J · kg-1· K-1
Sublimationstemperatur
2700 ℃
Biegerstärke
415 MPa RT 4-Punkt
Young's Modul
430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit
300W · m-1· K-1
Wärmeausdehnung (CTE)
4,5×10-6K-1




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