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CVD -TAC -Beschichtenträger
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CVD -TAC -Beschichtenträger

Der CVD -TAC -Beschichtenträger ist hauptsächlich für den epitaxialen Prozess der Semiconductor -Herstellung konzipiert. Ultrahoch Schmelzpunkt des CVD-TAC-Beschichtungsträgers, ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit und herausragende thermische Stabilität bestimmen die Unentbehrlichkeit dieses Produkts im Halbleiter-Epitaxialprozess. Begrüßen Sie Ihre weitere Anfrage.

Vetek Semiconductor ist ein professioneller Leiter China CVD TAC Coating Carrier, Epitaxy Susceptor,TAC beschichtete GraphitunterstützungHersteller.


Durch kontinuierliche Prozess- und materielle Innovationsforschung spielt der CVD -TAC -Beschichtenträger von Vetek Semiconductor eine sehr wichtige Rolle im epitaxialen Prozess, hauptsächlich die folgenden Aspekte:


Substratschutz: CVD -TAC -Beschichtungsträger bietet eine hervorragende chemische Stabilität und thermische Stabilität, wodurch hohe Temperatur und korrosive Gase effektiv das Substrat und die innere Wand des Reaktors erodieren, um die Reinheit und Stabilität der Prozessumgebung zu gewährleisten.


Wärme Gleichmäßigkeit: In Kombination mit der hohen thermischen Leitfähigkeit des CVD -TAC -Beschichtungsträgers sorgt sie für die Gleichmäßigkeit der Temperaturverteilung innerhalb des Reaktors, optimiert die Kristallqualität und die Gleichmäßigkeit der Epitaxialschicht und verbessert die Leistungskonsistenz des Endprodukts.


Partikelverunreinigungsregelung: Da CVD -TAC -Beschichteträger extrem niedrige Partikelerzeugungsraten aufweisen, verringern die glatten Oberflächeneigenschaften das Risiko einer Partikelverunreinigung signifikant, wodurch die Reinheit und Ertrag während des Epitaxialswachstums verbessert werden.


Verlängerte Lebensdauer der Ausrüstung: In Kombination mit dem hervorragenden Verschleißfestigkeit und Korrosionsbeständigkeit des CVD -TAC -Beschichtungsunternehmens erweitert es die Lebensdauer der Reaktionskammerkomponenten erheblich, reduziert Ausfallzeiten und Wartungskosten für die Ausfallausfall und die Produktionseffizienz.


Durch die Kombination der oben genannten Eigenschaften verbessert der CVD-TAC-Beschichtenträger von Semiconductor von Vetek nicht nur die Zuverlässigkeit des Prozesses und die Qualität des Produkts im epitaxialen Wachstumsprozess, sondern bietet auch eine kostengünstige Lösung für die Herstellung von Halbleiter.


Tantal -Carbidbeschichtung auf einem mikroskopischen Querschnitt:


Tantalum carbide coating on a microscopic cross section picture


Physikalische Eigenschaften des CVD -TAC -Beschichtenträgers:

Physikalische Eigenschaften der TAC -Beschichtung
Dichte
14,3 (g/cm³)
Spezifischer Emissionsvermögen
0.3
Wärmeleitkoeffizient
6.3*10-6/K
Härte (HK)
2000 HK
Widerstand
1 × 10-5Ohm*cm
Wärmestabilität
<2500 ℃
Graphitgröße ändert sich
-10 ~ -20um
Beschichtungsdicke
≥ 20 um einen typischen Wert (35 € ± 10um)


Vetek Semiconductor CVD SIC Coating Production Shop:

vETEK CVD TaC Coating Carrier SHOPS


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