Der mit CVD TaC beschichtete Suszeptor von VETEK kombiniert ein hochreines isostatisches Graphitsubstrat mit einer dichten CVD-Tantalkarbid (TaC)-Beschichtung, um außergewöhnliche thermische Stabilität, Korrosionsbeständigkeit und geringe Partikelbildung für anspruchsvolle Halbleiterepitaxie zu bieten. Entwickelt für das epitaktische Wachstum von SiC, GaN und AlN, minimiert es Verunreinigungen, verbessert die Gleichmäßigkeit der Wafertemperatur und verlängert die Lebensdauer der Komponenten in Hochtemperatur-MOCVD- und CVD-Prozessen.
•Hochtemperaturstabilität: Behält eine stabile Leistung unter längeren Verarbeitungsbedingungen bei hohen Temperaturen. •Korrosionsbeständigkeit: Die dichte TaC-Beschichtung bietet wirksamen Schutz gegen korrosive Prozessgase. •Geringe Partikelbildung: Eine dichte Beschichtungsstruktur trägt dazu bei, die Kontamination während des epitaktischen Wachstums zu reduzieren. • Hervorragende thermische Gleichmäßigkeit: Unterstützt eine gleichmäßige Wärmeverteilung für eine verbesserte Prozesskonsistenz. • Lange Lebensdauer: Hohe Verschleißfestigkeit trägt zu reduziertem Wartungsaufwand und längeren Betriebszyklen bei.
Anwendungen
Typische Anwendungen sind:
• SiC-Epitaxiewachstum
• GaN-MOCVD-Epitaxie
• AlN-Epitaxiewachstum
• Halbleiterfertigung der dritten Generation
• Hochleistungselektronik
• HF-Geräte
• MicroLED-Produktion
• Forschungs- und Pilotproduktionssysteme
Kompatible Ausrüstung
Zu den kompatiblen Plattformen gehören:
• Aixtron
• LPE
• Veeco
• AMEC
• NuFlare
• Kundenspezifische CVD- und MOCVD-Reaktoren
Auch erhältlich:
• Waferträger
• Planetarische Suszeptoren
• Fasssuszeptoren
• Rotationsscheiben
• Halbmondteile
• Abdeckplatten
• Graphitbaugruppen
• Benutzerdefinierte Wärmefeldkomponenten
Technische Spezifikationen
Substratmaterial
Hochreiner isostatischer Graphit
Beschichtungsmaterial
CVD-Tantalkarbid (TaC)
Beschichtungsdicke
20–40 μm (anpassbar)
Reinheit der Beschichtung
Bis zu 99,9995 %
Maximale Arbeitstemperatur
>2000°C (Inertatmosphäre)
Dichte
14,3 g/cm³
Härte
~2000 HK
Wärmeausdehnungskoeffizient
6,3 × 10⁻⁶/K
Elektrischer Widerstand
1 × 10⁻⁵ Ω·cm
Verfügbare Größen
Maßgeschneidert
Typische Anwendungen
SiC-, GaN-, AlN-Epitaxie
Häufig gestellte Fragen
1. Was ist ein CVD-TaC-beschichteter Suszeptor?
Eine Komponente aus hochreinem Graphit, geschützt durch eine dichte CVD-TaC-Beschichtung, die während des epitaktischen Wachstums als Waferträger dient.
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