Produkte
Gan Epitaxial Undertaker
  • Gan Epitaxial UndertakerGan Epitaxial Undertaker

Gan Epitaxial Undertaker

Als führender Anfänger und Hersteller von Gan Epitaxial Susceceptor in China ist Vetek Semiconductor Gan Epitaxial Susceceptor ein hochpräziser Suszeptor, der für das GaN-epitaxiale Wachstumsprozess entwickelt wurde, das zur Unterstützung von epitaxialen Geräten wie CVD und MOCVD verwendet wird. Bei der Herstellung von GaN-Geräten (z. B. elektronische Geräte mit Strom, HF-Geräten, LEDs usw.) trägt der epitaxiale Suszeptor von Gan das Substrat und erreicht eine qualitativ hochwertige Ablagerung von GaN-Dünnfilmen unter hoher Temperaturumgebung. Begrüßen Sie Ihre weitere Anfrage.

Der GaN epitaxiale Suszeptor ist für das epitaxiale Wachstumsprozess von Galliumnitrid (GaN) ausgelegt und für fortschrittliche epitaxiale Technologien wie chemische Dampfabscheidung mit hoher Temperatur (CVD) und Metall-organische chemische Dampfablagerung (MOCVD) geeignet. Der Suszeptor besteht aus hoher purity, hochtemperaturbeständiger Materialien, um eine hervorragende Stabilität unter hohen Temperaturen und mehreren Gasumgebungen zu gewährleisten, wodurch die anspruchsvollen Prozessanforderungen von fortschrittlichen Halbleitergeräten, RF-Geräten und LED-Feldern erfüllt werden.



Darüber hinaus verfügt der Gan Epitaxial -Suszeptor von Vetek Semiconductor über die folgenden Produktmerkmale:


● Materialzusammensetzung

High-Purity-Graphit: SGL-Graphit wird als Substrat mit ausgezeichneter und stabiler Leistung verwendet.

Siliziumkarbidbeschichtung: Bietet eine extrem hohe thermische Leitfähigkeit, eine starke Oxidationsresistenz und eine chemische Korrosionsbeständigkeit, die für den Wachstumsbedarf von GaN-Geräten mit hoher Leistung geeignet ist. Es zeigt eine hervorragende Haltbarkeit und eine lange Lebensdauer in harten Umgebungen wie CVD und MOCVD mit hohem Temperatur, was die Produktionskosten und die Wartungsfrequenz erheblich senken kann.


● Anpassung

Anpassungsgröße: Vetek Semiconductor unterstützt den individuellen Service entsprechend den Kundenbedürfnissen, der Größe derBestatterund Waferloch kann angepasst werden.


● Betriebstemperaturbereich

Veteksemi Gan epitaxiale Suszeptor konnte den Temperaturen bis zu 1200 ° C standhalten, um eine hohe Temperaturgleichmäßigkeit und Stabilität zu gewährleisten.


● anwendbare Geräte

Unser Gan EPI -Anfänger ist mit dem Mainstream kompatibelMOCVD -Ausrüstungwie Aixtron, Veeco usw., geeignet für hochpräziseGan -Epitaxialprozess.


Veteksemi war schon immer dafür verpflichtet, den Kunden die am besten geeigneten und exzellenten Produkte von Gan Epitaxial Susceceptor zu bieten, und freut sich darauf, Ihr langfristiger Partner zu werden. Vetek Semiconductor bietet Ihnen professionelle Produkte und Dienstleistungen, damit Sie mehr Ergebnisse in der Epitaxienindustrie erzielen können.


CVD sic Filmkristallstruktur


CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE


Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD -sic -Beschichtung


Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD -sic -Beschichtung
Eigentum
Typischer Wert
Kristallstruktur
Polykristalline FCC -β -Phasen -FCC -β -Phase, hauptsächlich (111) orientiert
SiC -Beschichtungsdichte
3,21 g/cm³
Sic -Beschichtungshärte
2500 Vickers Härte (500 g Last)
Körnung
2 ~ 10 mm
Chemische Reinheit
99,99995%
Wärmekapazität
640 J · kg-1· K-1
Sublimationstemperatur
2700 ℃
Biegerstärke
415 MPa RT 4-Punkte
Young's Modul
430 GPA 4PT Bend, 1300 ℃
Wärmeleitfähigkeit
300W · m-1· K-1
Wärmeausdehnung (CTE)
4,5 × 10-6K-1

Es HalbleiterGan epitaxiale Suszeptorprodukte Geschäfte


Graphite substrateGaN epitaxial susceptor testSilicon carbide ceramic processingSemiconductor process equipment

Hot-Tags: Gan Epitaxial Undertaker
Anfrage absenden
Kontaktinformation
Für Anfragen zu Siliziumkarbidbeschichtungen, Tantalkarbidbeschichtungen, Spezialgraphit oder zur Preisliste hinterlassen Sie uns bitte Ihre E-Mail-Adresse. Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept