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LPE SiC EPI Halbmond
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LPE SiC EPI Halbmond

LPE SIC -Epi -Halbmoon ist ein spezielles Design für Horizonations -Epitaxienofen, ein revolutionäres Produkt zur Erhöhung der LPE -Reaktor -SIC -Epitaxienprozesse. Diese hochmoderne Lösung bietet mehrere wichtige Funktionen, die während Ihres gesamten Fertigungsbetriebs überlegene Leistung und Effizienz gewährleisten.

Vetek Semiconductor möchte Ihnen als Hersteller und Lieferant des professionellen LPE SIC -Epi -Halbmoon -Halbmoons hochwertige LPE -SIC -Epi -Halbmoon anbieten.


LPE SIC -Epi -Halbmoon von Vetek Semiconductor, einem revolutionären Produkt zur Erhöhung der LPE -Reaktor -SIC -Epitaxienprozesse. Diese modernste Lösung bietet mehrere wichtige Funktionen, die während Ihres gesamten Fertigungsbetriebs überlegene Leistung und Effizienz gewährleisten.


Der LPE SiC Epi Halfmoon bietet außergewöhnliche Präzision und Genauigkeit und garantiert ein gleichmäßiges Wachstum und hochwertige Epitaxieschichten. Sein innovatives Design und fortschrittliche Fertigungstechniken sorgen für optimale Waferunterstützung und Wärmemanagement, liefern konsistente Ergebnisse und minimieren Fehler. Darüber hinaus ist der LPE SiC Epi Halfmoon mit einer hochwertigen Tantalcarbid (TaC)-Schicht beschichtet, was seine Leistung und Haltbarkeit verbessert. Diese TaC-Beschichtung verbessert die Wärmeleitfähigkeit, chemische Beständigkeit und Verschleißfestigkeit erheblich, schützt das Produkt und verlängert seine Lebensdauer.


Die Integration der TaC-Beschichtung in den LPE SiC Epi Halfmoon bringt erhebliche Verbesserungen für Ihren Prozessablauf. Es verbessert das Wärmemanagement, sorgt für eine effiziente Wärmeableitung und sorgt für eine stabile Wachstumstemperatur. Diese Verbesserung führt zu einer verbesserten Prozessstabilität, einer geringeren thermischen Belastung und einer verbesserten Gesamtausbeute. Darüber hinaus minimiert die TAC -Beschichtung die Materialverschmutzung und ermöglicht einen saubereren und mehr kontrollierter Epitaxieprozess. Es wirkt als Hindernis gegen unerwünschte Reaktionen und Verunreinigungen, was zu epitaxialen Schichten mit höherer Reinheit und einer verbesserten Geräteleistung führt.


Wählen Sie den LPE SiC Epi Halfmoon von VeTek Semiconductor für konkurrenzlose Epitaxieprozesse. Erleben Sie die Vorteile seines fortschrittlichen Designs, seiner Präzision und der transformativen Kraft desTaC-Beschichtungbei der Optimierung Ihrer Fertigungsoperationen. Erhöhen Sie Ihre Leistung und erzielen Sie außergewöhnliche Ergebnisse mit der branchenführenden Lösung von Vetek Semiconductor.


Produktparameter des LPE SiC Epi Halfmoon

Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung
Beschichtungsdichte 14,3 (g/cm³)
Spezifischer Emissionsvermögen 0.3
Wärmeausdehnungskoeffizient 6,3*10-6/K
TAC -Beschichtungshärte (HK) 2000 HK
Widerstand 1×10-5Ohm*cm
Wärmestabilität <2500℃
Graphitgrößenänderungen -10 ~ -20um
Beschichtungsdicke ≥ 20 um einen typischen Wert (35 € ± 10um)


VeTek Semiconductor LPE SiC EPI Halfmoon Produktionsstätte

VeTek Semiconductor LPE SiC EPI Halfmoon Production Shop


Überblick über die Semiconductor Chip Epitaxy -Industriekette:

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy


Hot-Tags: LPE SIC Epi Halfmoon
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