TAC -Beschichtung Tiegel

Deals Semiconductor'sCVD -TAC -beschichtete KreuzgruppenNormalerweise spielen Sie die folgenden Schlüsselrollen im PVT -Methode SIC -Einzelkristallwachstumsprozess:

Die PVT -Methode bezieht sich auf das Platzieren eines Sic -Samenkristalls auf den TAC -beschichteten Tiegel und das Platzieren von SIC -Pulver als Rohstoff am Boden des Tiegels. In einer geschlossenen Umgebung mit hoher Temperatur und niedrigem Druck sublimiert das SiC -Pulver und unter der Wirkung des Temperaturgradienten und der Konzentrationsdifferenz dieSic pulverwird in die Nähe des Samenkristalls übertragen und erreicht nach der Rekristallisierung einen übersättigten Zustand. Daher kann die PVT -Methode kontrollierbares Wachstum der sic -Kristallgröße und spezifische Kristallform erzielen.

● Wärmestabilität des Kristallwachstums

Vetek Semiconductor TAC -beschichtete Tiegel haben eine ausgezeichnete thermische Stabilität (können unter 2200 ℃ stabil bleiben), was dazu beiträgt, ihre strukturelle Integrität selbst bei extrem hohen Temperaturen beizubehalten, die für das Wachstum von Einzelkristall erforderlich sind. Diese physikalische Eigenschaft ermöglicht es dem SIC-beschichteten Graphit, den Crucible des Kristallwachstums genau zu steuern, was zu stark gleichmäßigen und fehlerfreien Kristallen führt.

● Ausgezeichnete chemische Barriere

TAC -beschichtete Tiegel kombinieren eine Tantal -Carbidbeschichtung mit einem hochreinigen Graphit, um eine hervorragende Resistenz gegen eine breite Palette von korrosiven Chemikalien und geschmolzenen Materialien zu bieten, die während des SIC -Einzelkristallwachstums üblicherweise auftreten. Diese Eigenschaft ist entscheidend, um hochwertige Kristalle mit minimalen Defekten zu erreichen.

● Dämpfungsschwingungen für eine stabile Wachstumsumgebung

Die hervorragenden Dämpfungseigenschaften des mit TAC beschichteten Tiegels minimieren Vibrationen und thermischem Schock innerhalb des Graphit -Tiegels und tragen weiter zu einer stabilen und kontrollierten Kristallwachstumsumgebung bei. Durch die Minderung dieser potenziellen Interferenzquellen ermöglicht die TAC -Beschichtung das Wachstum größerer, gleichmäßigerer Kristalle mit reduzierter Defektdichte, letztendlich erhöht die Geräteausbeute und die Verbesserung der Geräteleistung.

● Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit

Die beschichteten Tiegel von Vetekememon haben eine ausgezeichnete thermische Leitfähigkeit, die dem Graphit -Tiegel schnell und gleichmäßig überträgt. Dies bestimmt die genaue Kontrolle der Temperatur im gesamten Kristallwachstumsprozess und minimiert Kristalldefekte, die durch thermische Gradienten verursacht werden.

Tantal-Carbid (TAC) -Beschicht auf einem mikroskopischen Querschnitt

Physikalische Eigenschaften vonTantal -Carbidbeschichtung

Vetek Semiconductor -Produktionsläden