SiC-beschichteter Zylindersuszeptor

Vetek Semiconductor ist ein führender Hersteller, Lieferant und Exporteur von TAC -Beschichtungen in China. An der Verfolgung der perfekten Qualität der Produkte einhalten, damit unser siicbeschichteter Laufsempfanpfehlung von vielen Kunden zufrieden war. Extremes Design, hochwertige Rohstoffe, hohe Leistung und wettbewerbsfähiger Preis sind das, was jeder Kunde will, und das können wir Ihnen auch anbieten. Natürlich ist auch der perfekte After-Sales-Service. Wenn Sie an unseren SIC Coated Barrel Susceptor Services interessiert sind, können Sie uns jetzt konsultieren. Wir werden Ihnen rechtzeitig antworten!

Vetek Semiconductor Sic Coated Fass Susceptor wird hauptsächlich für LPE -SI -Epi -Reaktoren verwendet

Die LPE-Siliziumepitaxie (Liquid Phase Epitaxy) ist eine häufig verwendete Halbleiter-Epitaxie-Wachstumstechnik zur Abscheidung dünner Schichten aus einkristallinem Silizium auf Siliziumsubstraten. Es handelt sich um eine Flüssigphasen-Wachstumsmethode, die auf chemischen Reaktionen in einer Lösung basiert, um ein Kristallwachstum zu erreichen.

Das Grundprinzip der LPE-Siliziumepitaxie besteht darin, das Substrat in eine Lösung einzutauchen, die das gewünschte Material enthält, die Temperatur und die Lösungszusammensetzung zu kontrollieren und das Material in der Lösung als einkristalline Siliziumschicht wachsen zu lassen auf der Substratoberfläche. Durch Anpassen der Wachstumsbedingungen und Lösungszusammensetzung während des epitaktischen Wachstums können die gewünschte Kristallqualität, Dicke und Dotierungskonzentration erreicht werden.

LPE Silicon Epitaxy bietet mehrere Eigenschaften und Vorteile. Erstens kann es bei relativ niedrigen Temperaturen durchgeführt werden, wodurch die thermische Spannung und die Verunreinigungsdiffusion im Material reduziert werden. Zweitens bietet LPE-Silizium-Epitaxie eine hohe Gleichmäßigkeit und eine hervorragende Kristallqualität, die für die Herstellung von Hochleistungs-Halbleitergeräten geeignet ist. Darüber hinaus ermöglicht die LPE -Technologie das Wachstum komplexer Strukturen wie Mehrschicht- und Heterostrukturen.

Bei der LPE-Siliziumepitaxie ist der SiC-beschichtete Barrel-Suszeptor eine entscheidende epitaktische Komponente. Es wird typischerweise verwendet, um die für das epitaktische Wachstum erforderlichen Siliziumsubstrate zu halten und zu stützen und gleichzeitig die Temperatur und Atmosphäre zu kontrollieren. Die SiC-Beschichtung verbessert die Hochtemperaturbeständigkeit und chemische Stabilität des Suszeptors und erfüllt die Anforderungen des epitaktischen Wachstumsprozesses. Durch die Verwendung des SiC-beschichteten Barrel-Suszeptors können die Effizienz und Konsistenz des epitaktischen Wachstums verbessert werden, wodurch das Wachstum hochwertiger epitaktischer Schichten sichergestellt wird.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD -sic -Beschichtung

CVD sic Filmkristallstruktur

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