Vetek Semiconductor zeichnet sich durch die enge Zusammenarbeit mit Kunden aus, um maßgeschneiderte Designs für SiC-Beschichtungs-Einlassringe zu erstellen, die auf spezifische Anforderungen zugeschnitten sind. Diese Einlassringe mit SiC-Beschichtung wurden sorgfältig für verschiedene Anwendungen wie CVD-SiC-Geräte und Siliziumkarbid-Epitaxie entwickelt. Für maßgeschneiderte Einlassringlösungen mit SiC-Beschichtung wenden Sie sich bitte an Vetek Semiconductor, um individuelle Unterstützung zu erhalten.
Hochwertiger SIC -Beschichtungseinlassring wird vom chinesischen Hersteller Vetek Semiconductor angeboten. Kaufen Sie SIC Coating Inlet Ring, der direkt mit niedrigem Preis von hoher Qualität ist.
Vetek Semiconductor ist auf die Lieferung fortschrittlicher und wettbewerbsfähiger Produktionsanlagen spezialisiert, die auf die Halbleiterindustrie zugeschnitten sind und sich auf SIC-beschichtete Graphitkomponenten wie SIC-Beschichtungseinlassring für SIC-CVD-Systeme der dritten Generation konzentrieren. Diese Systeme erleichtern das Wachstum gleichmäßiger Einkristall -Epitaxialschichten auf Siliziumcarbidsubstraten, die für Herstellungsstromgeräte wie Schottky -Dioden, IGBTs, MOSFETs und verschiedene elektronische Komponenten wesentlich sind.
Die SiC-CVD-Ausrüstung verbindet Prozess und Ausrüstung nahtlos und bietet bemerkenswerte Vorteile in Bezug auf hohe Produktionskapazität, Kompatibilität mit 6/8-Zoll-Wafern, Kosteneffizienz, kontinuierliche automatische Wachstumskontrolle über mehrere Öfen, niedrige Fehlerraten sowie bequeme Wartung und Zuverlässigkeit durch Temperatur und Strömungsfeldsteuerungsdesigns. In Kombination mit unserem Einlassring mit SiC-Beschichtung steigert es die Produktivität der Anlagen, verlängert die Betriebslebensdauer und sorgt für ein effektives Kostenmanagement.
Der SIC -Beschichtungsring von Vetek Semiconductor ist durch hohe Reinheit, stabile Graphiteigenschaften, präzise Verarbeitung und den zusätzlichen Nutzen der CVD -SIC -Beschichtung gekennzeichnet. Die hohe Temperaturstabilität von Siliziumcarbidbeschichtungen schützt Substrate vor Wärme und chemische Korrosion in extremen Umgebungen. Diese Beschichtungen bieten auch eine hohe Härte- und Verschleißfestigkeit, um eine verlängerte Substratlebensdauer, Korrosionsresistenz gegen verschiedene Chemikalien, niedrige Reibungskoeffizienten für verringerte Verluste und eine verbesserte thermische Leitfähigkeit für eine effiziente Wärmeableitung zu gewährleisten. Insgesamt bieten CVD -Siliziumcarbidbeschichtungen einen umfassenden Schutz, die Verlängerung der Substratlebensdauer und die Verbesserung der Leistung.
Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:
Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD -sic -Beschichtung
Eigentum
Typischer Wert
Kristallstruktur
Polykristalline FCC -β -Phasen -FCC -β -Phase, hauptsächlich (111) orientiert
Dichte
3,21 g/cm³
Härte
2500 Vickers Härte (500 g Last)
Körnung
2 ~ 10 mm
Chemische Reinheit
99,99995%
Wärmekapazität
640 J · kg-1· K-1
Sublimationstemperatur
2700 ℃
Biegefestigkeit
415 MPa RT 4-Punkt
Young's Modul
430 GPA 4PT Bend, 1300 ℃
Wärmeleitfähigkeit
300W · m-1· K-1
Wärmeausdehnung (CTE)
4,5 × 10-6K-1
Produktionsläden:
Überblick über die Semiconductor Chip Epitaxy -Industriekette:
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