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Monokristalline Silizium -Epitaxialschale mit sic -Beschichtung
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Monokristalline Silizium -Epitaxialschale mit sic -Beschichtung

Das monokristalline Silizium -Epitaxialschalen mit SIC -Beschichtung ist ein wichtiges Accessoire für monokristallines Silizium -Epitaxialwachstumsofen, das minimale Verschmutzung und stabiles epitaxiale Wachstumsumgebung gewährleistet. Die monokristalline Silizium-Epitaxialschale von Vetek Semiconductor hat eine ultra-lange Lebensdauer und bietet eine Vielzahl von Anpassungsoptionen. Vetek Semiconductor freut sich darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

Das monokristalline Silizium -Epitaxialschalen von Vetek Semiconductor ist speziell für monokristalline Silizium -epitaxiale Wachstum entwickelt und spielt eine wichtige Rolle bei der industriellen Anwendung monokristalliner Silizium -Epitaxien- und verwandter Halbleitertänen.SiC-Beschichtungverbessert nicht nur die Temperaturbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit der Wanne deutlich, sondern sorgt auch für Langzeitstabilität und hervorragende Leistung in extremen Umgebungen.


Vorteile der SIC -Beschichtung


SiC coating Monocrystalline silicon epitaxial tray working diagram

● hohe thermische Leitfähigkeit: Die SIC-Beschichtung verbessert die thermische Managementfähigkeit des Tabletts erheblich und kann die von Hochleistungsgeräten erzeugte Wärme effektiv zerstreuen.


●  Korrosionsbeständigkeit: Die SIC-Beschichtung funktioniert in hohen Temperaturen und korrosiven Umgebungen gut, um die Lebensdauer und die Zuverlässigkeit der langfristigen Lebensdauer zu gewährleisten.


● Oberflächengleichmäßigkeit: Bietet eine ebene und glatte Oberfläche, vermeidet effektiv Herstellungsfehler durch Oberflächenunebenheiten und gewährleistet die Stabilität des epitaktischen Wachstums.


Untersuchungen zufolge kann eine SiC-Gradientenbeschichtung auf dem Graphitsubstrat hergestellt werden, wenn die Porengröße des Graphitsubstrats zwischen 100 und 500 nm liegt und die SiC-Beschichtung eine stärkere Antioxidationsfähigkeit aufweist. Die Oxidationsbeständigkeit der SiC-Beschichtung auf diesem Graphit (dreieckige Kurve) ist viel stärker als die anderer Graphitspezifikationen und eignet sich für das Wachstum von Einkristall-Siliziumepitaxie. Die SiC-Beschichtung der monokristallinen Silizium-Epitaxieschale von VeTek Semiconductor verwendet SGL-Graphit alsGraphitsubstrat, was in der Lage ist, eine solche Leistung zu erzielen.


Die SiC-Beschichtung der monokristallinen Silizium-Epitaxieschale von VeTek Semiconductor verwendet die besten Graphitmaterialien und die fortschrittlichste SiC-Beschichtungsverarbeitungstechnologie. Am wichtigsten ist jedoch, dass wir unser Bestes tun können, um die Anforderungen unserer Kunden an die Produktanpassung zu erfüllen.


Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung


Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum
Typischer Wert
Kristallstruktur
Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte
3,21 g/cm³
Härte
2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Korn Size
2 ~ 10 mm
Chemische Reinheit
99,99995%
Wärmekapazität
640 J·kg-1· K-1
Sublimationstemperatur 2700 ℃
Biegefestigkeit
415 MPa RT 4-Punkte
Young's Modul
430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
Wärmeleitfähigkeit
300W · m-1· K-1
Wärmeausdehnung (CTE)
4,5 × 10-6K-1

VeTek Semiconductor Produktionsstätten


Graphite epitaxial substrateSemiconductor heating furnace equipmentGraphite ring assemblySemiconductor process equipment

Hot-Tags: SiC-Beschichtung. Monokristalline Silizium-Epitaxieschale
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