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Solide sic Waferträger
  • Solide sic WaferträgerSolide sic Waferträger

Solide sic Waferträger

Der feste SIC -Waferträger von Vetek Semiconductor ist für hohe Temperatur- und korrosionsbeständige Umgebungen in Halbleiter -Epitaxialverfahren ausgelegt und für alle Arten von Waferherstellungsprozessen mit hohen Reinheitsanforderungen geeignet. Vetek Semiconductor ist ein führender Lieferant von Wafer Carrier in China und freut sich darauf, Ihr langfristiger Partner in der Halbleiterindustrie zu werden.

Der feste SIC -Waferträger ist eine Komponente, die für hohe Temperatur, hohen Druck und korrosive Umgebung des Halbleiterpitaxials -Prozesses hergestellt wird, und eignet sich für verschiedene Waferherstellungsprozesse mit hohen Reinheit. 


Der feste SIC-Waferträger deckt den Rand des Wafers ab, schützt den Wafer und positioniert ihn genau, um das Wachstum hochwertiger epitaxieller Schichten zu gewährleisten. SIC -Materialien werden in Prozessen wie der Epitaxie der flüssigen Phase (LPE), der chemischen Dampfabscheidung (CVD) und der organischen Dampfabscheidung (MOCVD) aufgrund ihrer hervorragenden thermischen Stabilität, Korrosionsbeständigkeit und herausragender thermischer Leitfähigkeit häufig verwendet. Der feste SIC -Waferträger von Vetek Semiconductor wurde in mehreren harten Umgebungen verifiziert und kann die Stabilität und Effizienz des epitaxialen Wachstumsprozesses für Wafer effektiv sicherstellen.


Vapor-phase epitaxial growth method


Der feste SiC -WaferträgerProduktmerkmale


● Ultrahohe TemperaturstabilitätFeste SIC -Wafer -Träger können bei Temperaturen bis zu 1500 ° C stabil bleiben und sind nicht anfällig für Verformungen oder Risse.


● Hervorragende chemische KorrosionsbeständigkeitUnter Verwendung von Siliziumcarbidmaterialien mit hoher Purity kann es Korrosion einer Vielzahl von Chemikalien widerstehen, darunter starke Säuren, starke Alkalis und korrosive Gase, wobei die Lebensdauer des Waferträgers verlängert wird.

● hohe thermische LeitfähigkeitFeste SIC -Waferträger haben eine ausgezeichnete thermische Leitfähigkeit und können während des Prozesses schnell und gleichmäßig die Wärme zerstreuen.


● Erzeugung mit geringer PartikelSIC -Materialien haben ein natürliches Merkmal mit niedriger Partikelerzeugung, das das Risiko einer Kontamination verringert und die strengen Anforderungen der Halbleiterindustrie für hohe Reinheit erfüllen kann.


Technische Spezifikationen:


Parameter Beschreibung
Material
Hoher Püre-Silizium-Carbid
Anwendbare Wafergröße
4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll, 12 Zoll (anpassbar)
Maximale Temperaturtoleranz
Bis zu 1500 ° C.
Chemischer Widerstand
Säure- und Alkali -Resistenz, Fluoridkorrosionsbeständigkeit
Wärmeleitfähigkeit
250 w/(m · k)
Partikelerzeugungsrate
Ultra-niedrige Partikelerzeugung, geeignet für hohe Reinheitsanforderungen
Anpassungsoptionen
Größe, Form und andere technische Parameter können nach Bedarf angepasst werden

Warum wählenEs HalbleiterSolid sic -Wafer -Substratträgerring?


● Zuverlässigkeit: Nach strengen Tests und tatsächlichen Überprüfung durch Endkunden kann es unter extremen Bedingungen langfristige und stabile Unterstützung bieten und das Risiko einer Prozessunterbrechung verringern.


● Hochwertige Materialien: Stellen Sie aus SIC -Materialien von höchster Qualität sicher, dass jeder feste SIC -Waferträger den hohen Standards der Branche entspricht.


● Anpassungsdienst: Unterstützen Sie die Anpassung mehrerer Spezifikationen und technischer Anforderungen, um den bestimmten Prozessanforderungen zu erfüllen.


Wenn Sie weitere Produktinformationen benötigen oder eine Bestellung aufgeben, kontaktieren Sie uns bitte. Wir werden professionelle Beratung und Lösungen basierend auf Ihren spezifischen Bedürfnissen zur Verbesserung der Produktionseffizienz und zur Reduzierung der Wartungskosten bieten.


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