TAC -Beschichtungsrotationssuszeptor

Vetek Semiconductor TAC Coating -Rotationssuszeptor ist eine Schlüsselkomponente für die Waferhandhabung bei der Halbleiterverarbeitung. Es istTac wasUnserhat eine ausgezeichnete Hochtemperaturtoleranz (Schmelzpunkt bis zu 3880 ° C), chemische Stabilität und Korrosionsbeständigkeit, die eine hohe Präzision und hohe Qualität bei der Waferverarbeitung gewährleisten.

TAC -Beschichtungsrotationssuszeptor (Tantal Carbon Coating Rotation Susceceptor) ist eine wichtige Ausrüstungskomponente, die bei der Verarbeitung der Halbleiter verwendet wird. Es ist normalerweise in installiert inchemische Dampfabscheidung (CVD)und molekulare Strahl -Epitaxienausrüstung (MBE) zur Unterstützung und Drehung von Wafern, um eine gleichmäßige Materialablagerung und eine effiziente Reaktion zu gewährleisten. Diese Art von Produkt verbessert die Lebensdauer und Leistung der Geräte in hohen Temperaturen und korrosiven Umgebungen durch Beschichtung des Substrats erheblichTantalum Kohlenstoffbeschichtung (TAC).

TAC -Beschichtungsrotationssuszeptor besteht normalerweise aus TAC -Beschichtung und Graphit oder Siliziumkarbid als Substratmaterial. TAC ist ein Keramikmaterial von Ultrahohen Temperaturen mit extrem hohem Schmelzpunkt (Schmelzpunkt bis zu 3880 ° C), Härte (Vickers Härte beträgt etwa 2000 HK) und eine hervorragende chemische Korrosionsbeständigkeit. Der Vetek -Halbleiter kann die Tantal -Kohlenstoffbeschichtung des Substratmaterials durch CVD -Technologie effektiv und gleichmäßig abdecken.

Rotationssuszeptor besteht normalerweise aus hoher thermischer Leitfähigkeit und hoher Stärke (Graphit oderSiliziumkarbid), die eine gute mechanische Unterstützung und thermische Stabilität in Hochtemperaturumgebungen liefern können. Die perfekte Kombination der beiden bestimmt die perfekte Leistung des TAC -Beschichtungs -Rotations -Anfängers bei der Unterstützung und Drehung von Wafern.

TAC -Beschichtungsrotationssuszeptor unterstützt und dreht den Wafer im CVD -Prozess. Die Vickers -Härte von TAC beträgt ungefähr 2000 HK, was es ihm ermöglicht, wieder wiederholter Reibung des Materials zu widerstehen und eine gute Stützrolle zu spielen, wodurch sichergestellt wird, dass das Reaktionsgas gleichmäßig auf der Waferoberfläche verteilt und das Material gleichmäßig abgelagert wird. Gleichzeitig ermöglichen die Hochtemperaturtoleranz und die Korrosionsbeständigkeit der TAC -Beschichtung sie für eine lange Zeit bei hohen Temperaturen und korrosiven Atmosphären, was die Kontamination des Wafers und des Trägers effektiv vermeidet.

Darüber hinaus beträgt die thermische Leitfähigkeit von TAC 21 W/m · k, was eine gute Wärmeübertragung aufweist. Daher kann TAC -Beschichtungsrotation der Anfänger den Wafer unter hohen Temperaturbedingungen gleichmäßig erhitzen und die Gleichmäßigkeit des Gasabscheidungsprozesses durch Rotationsbewegung sicherstellen, wodurch die Konsistenz und hohe Qualität von beibehalten wirdWaferwachstum.

Tantal-Carbid (TAC) -Beschicht auf einem mikroskopischen Querschnitt：

Physikalische Eigenschaften der TAC -Beschichtung：

TAC -Beschichtung Rotations -Anfängergeschäfte: