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CVD-Siliziumkarbid (SiC) beschichteter Graphit-RTP-RTA-Träger
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CVD-Siliziumkarbid (SiC) beschichteter Graphit-RTP-RTA-Träger

Der mit CVD-Siliziumkarbid (SiC) beschichtete Graphit-RTP-RTA-Träger von VETEK ist für Systeme zur schnellen thermischen Verarbeitung (RTP) und schnellen thermischen Ausheilung (RTA) konzipiert, die in der Halbleiterfertigung eingesetzt werden. Es besteht aus hochreinem isostatischem Graphit mit einer dichten CVD-SiC-Beschichtung und bietet hervorragende thermische Stabilität, hervorragende Temperaturgleichmäßigkeit, hervorragende chemische Beständigkeit und eine äußerst geringe Partikelbildung. Der Träger ist so konstruiert, dass er wiederholten schnellen Aufheiz- und Abkühlzyklen standhält und gewährleistet eine zuverlässige Waferunterstützung und eine stabile Prozessleistung beim Tempern von Siliziumwafern und anderen Hochtemperatur-Halbleiteranwendungen.

Produktmerkmale

· Kernausrüstung:Entwickelt für Rapid Thermal Annealing (RTA)- und Rapid Thermal Processing (RTP)-Systeme.

· Primary AAnwendung: Optimiert für Halbleiter-Wafer-Glühprozesse.

· OpeBewertung TeTemperatur:Stabiler Betrieb von 200 °C bis 700 °C.

· Excellent Thermal Einheitlichkeit: Gewährleistet eine gleichmäßige Wärmeverteilung für eine gleichmäßige Waferverarbeitung.

· Geringe PartikelGEnergie: Die dichte CVD-SiC-Beschichtung minimiert die Kontamination und verbessert die Produktionsausbeute.

· Überlegene chemische Beständigkeit:Beständig gegen Oxidation und korrosive Prozessgase bei der thermischen Verarbeitung.

· Hervorragendg Thermal Schockfestigkeit: Bewahrt die strukturelle Integrität durch wiederholte schnelle Aufheiz- und Abkühlzyklen.

· Lange Lebensdauer:Die verschleißfeste SiC-Beschichtung verlängert die Lebensdauer der Komponenten erheblich und reduziert die Wartungskosten.

· BrauchHerstellung:Erhältlich in verschiedenen Größen und Konfigurationen, passend zu verschiedenen RTP/RTA-Geräten.


Technische Spezifikationen

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum
Typischer Wert
Kristallstruktur
Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
Dichte
3,21 g/cm³
Härte
2500 Vickers-Härte (500 g Belastung)
Körnung
2–10 μm
Chemische Reinheit
99,99995 %
Wärmekapazität
640 J·kg⁻¹·K⁻¹
Sublimationstemperatur
2700°C
Biegefestigkeit
415 MPa (RT, 4-Punkt-Biegung)
Elastizitätsmodul
430 GPa (4-Punkt-Biegung, 1300 °C)
Wärmeleitfähigkeit
300 W·m⁻¹·K⁻¹
Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE)
4,5 × 10⁻⁶ K⁻¹

Anwendungen

·Schnelles thermisches Ausheilen (RTA)

· Schnelle thermische Verarbeitung (RTP)

· Ausheilen von Siliziumwafern

· Dotierstoffaktivierung

· Oxidation

· Diffusion

·Herstellung von Verbindungshalbleitern

·MEMS-Fertigung

·Leistungshalbleiterverarbeitung


FAQ

1. Was ist ein RTP/RTA-Carrier?

Ein RTP/RTA-Träger ist eine Wafer-Trägerkomponente, die in Systemen zur schnellen thermischen Verarbeitung und schnellen thermischen Ausheilung verwendet wird. Es hält Halbleiterwafer sicher und sorgt gleichzeitig für eine gleichmäßige Wärmeübertragung während des gesamten Wärmezyklus.

2. Warum wird die CVD-SiC-Beschichtung bevorzugt?

Im Vergleich zu reinem Graphit bietet die CVD-SiC-Beschichtung eine überlegene Oxidationsbeständigkeit, eine geringere Partikelbildung, eine bessere chemische Stabilität und eine deutlich längere Lebensdauer.

3. Kann VETEK maßgeschneiderte RTP/RTA-Träger anbieten?

Ja. VETEK bietet maßgeschneiderte RTP/RTA-Träger basierend auf Kundenzeichnungen an.


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