CVD TAC Beschichteter Drei-Petal-Führungsring

Siliziumkarbid -Einkristallsubstratmaterial ist eine Art Kristallmaterial, das zum Breitenbänder -Halbleitermaterial gehört. Es hat die Vorteile von Hochspannungswiderstand, Hochtemperaturwiderstand, Hochfrequenz, niedrigem Verlust usw. Es ist ein Grundmaterial für die Herstellung von elektronischen Geräten mit hoher Leistung und mikrowellen-Funkfrequenzgeräten. Derzeit sind die Hauptmethoden zum Anbau von sic -Kristallen der physikalische Dampftransport (PVT -Methode), die Ablagerung der chemischen Dampf mit hoher Temperatur (HTCVD -Methode), Flüssigphasenmethode usw.

Die PVT -Methode (Physical Vapor Transport) ist eine gut etablierte Technik, die für die industrielle Produktion großer Skala sehr geeignet ist. Bei diesem Prozess befindet sich ein Sic -Samenkristall oben am Schmelztiegel, während SiC -Pulver, der als Rohstoff dient, am Tiegelboden platziert wird. Unter den Bedingungen der hohen Temperatur und des niedrigen Drucks in einer geschlossenen Umgebung sublimiert das SiC -Pulver. Angetrieben durch den Temperaturgradienten und die Konzentrationsdifferenz, bewegen sich die sublimierten Spezies in Richtung der Region in der Nähe des Samenkristalls nach oben. Sobald er einen übersättigten Zustand erreicht hat, tritt eine Rekristallisation auf, die eine präzise Kontrolle über die Größe und einen spezifischen Kristalltyp der erwachsenen sic -Kristalle ermöglicht.

Der CVD TAC -beschichtete Drei -Blütenhandbuch -Ring bietet mehrere wichtige Funktionen. In erster Linie verbessert es die Flüssigkeitsmechanik, indem es den Gasfluss leitet und sicherstellt, dass die Kristallwachstumsfläche einer gleichmäßigen Atmosphäre ausgesetzt ist. Darüber hinaus löst es während des SIC -Kristallwachstumsprozesses effektiv Wärme ab. Durch die Aufrechterhaltung des geeigneten Temperaturgradienten optimiert es die Wachstumsbedingungen für SIC -Kristalle und mildert das Risiko von Kristalldefekten, die durch ungleiche Temperaturverteilung verursacht werden.