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EPI-Empfängerteile
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EPI-Empfängerteile

Im Kernprozess des epitaktischen Wachstums von Siliziumkarbid ist sich Veteksemicon bewusst, dass die Leistung des Suszeptors direkt die Qualität und Produktionseffizienz der epitaktischen Schicht bestimmt. Unsere hochreinen EPI-Suszeptoren, die speziell für den SiC-Bereich entwickelt wurden, nutzen ein spezielles Graphitsubstrat und eine dichte CVD-SiC-Beschichtung. Mit ihrer überlegenen thermischen Stabilität, hervorragenden Korrosionsbeständigkeit und extrem niedrigen Partikelerzeugungsrate gewährleisten sie den Kunden eine beispiellose Dicke und Gleichmäßigkeit der Dotierung, selbst in rauen Prozessumgebungen mit hohen Temperaturen. Wenn Sie sich für Veteksemicon entscheiden, entscheiden Sie sich für den Grundstein für Zuverlässigkeit und Leistung für Ihre fortschrittlichen Halbleiterfertigungsprozesse.

Allgemeine Produktinformationen


Herkunftsort:
China
Markenname:
Mein Rivale
Modellnummer:
EPI-Empfänger Teil-01
Zertifizierung:
ISO9001


Geschäftsbedingungen für Produkte


Mindestbestellmenge:
Vorbehaltlich Verhandlungen
Preis:
Kontakt für individuelle Angebote
Verpackungsdetails:
Standard-Exportpaket
Lieferzeit:
Lieferzeit: 30–45 Tage nach Auftragsbestätigung
Zahlungsbedingungen:
T/T
Lieferfähigkeit:
100 Einheiten/Monat


Anwendung: Im Streben nach ultimativer Leistung und Ausbeute bei SiC-Epitaxieprozessen bietet Veteksemicon EPI Susceptor eine hervorragende thermische Stabilität und Gleichmäßigkeit und wird so zu einer wichtigen Unterstützung für die Verbesserung der Leistung von Leistungs- und HF-Geräten und die Reduzierung der Gesamtkosten.

Leistungen, die erbracht werden können: Analyse des Kundenanwendungsszenarios, passende Materialien, technische Problemlösung. 

Unternehmensprofil:Veteksemicon verfügt über zwei Labore, ein Expertenteam mit 20 Jahren Materialerfahrung sowie F&E- und Produktions-, Test- und Verifizierungskapazitäten.


Technische Parameter

Projekt
Parameter
Grundmaterial
Hochreiner isostatischer Graphit
Beschichtungsmaterial
Hochreines CVD-SiC
Beschichtungsdicke
Anpassungen sind möglich, um die Prozessanforderungen der Kunden zu erfüllen (typischer Wert: 100 ± 20 μm).
Reinheit
> 99,9995 % (SiC-Beschichtung)
Maximale Betriebstemperatur
> 1650°C
Wärmeausdehnungskoeffizient
Gute Übereinstimmung mit SiC-Wafern
Oberflächenrauheit
Ra < 1,0 μm (auf Anfrage einstellbar)


Die Hauptvorteile des Veteksemicon EPI Contractor Part


1. Sorgen Sie für höchste Einheitlichkeit

Bei Siliziumkarbid-Epitaxieprozessen wirken sich sogar Dickenschwankungen im Mikrometerbereich und Dotierungsinhomogenitäten direkt auf die Leistung und Ausbeute des endgültigen Bauteils aus. Der Veteksemicon EPI Susceptor erreicht durch präzise thermodynamische Simulation und Strukturdesign eine optimale Wärmefeldverteilung innerhalb der Reaktionskammer. Unsere Auswahl eines Substrats mit hoher Wärmeleitfähigkeit in Kombination mit einem einzigartigen Oberflächenbehandlungsprozess stellt sicher, dass Temperaturunterschiede an jedem Punkt der Waferoberfläche selbst bei Hochgeschwindigkeitsrotation und Hochtemperaturumgebungen in einem extrem kleinen Bereich kontrolliert werden. Der direkte Wert, den dies mit sich bringt, ist eine hoch reproduzierbare, Charge-zu-Charge-Epitaxieschicht mit ausgezeichneter Gleichmäßigkeit, die eine solide Grundlage für die Herstellung leistungsstarker, hochkonsistenter Leistungschips bildet.


2. Den Herausforderungen hoher Temperaturen standhalten

SiC-Epitaxieprozesse erfordern typischerweise einen längeren Betrieb bei Temperaturen über 1500 °C, was für jedes Material eine große Herausforderung darstellt. Veteksemicon Susceptor verwendet speziell behandelten isostatisch gepressten Graphit, dessen Biegefestigkeit und Kriechfestigkeit bei hohen Temperaturen die von gewöhnlichem Graphit bei weitem übertreffen. Selbst nach Hunderten von Stunden ununterbrochener Hochtemperatur-Wärmezyklen behält unser Produkt seine ursprüngliche Geometrie und mechanische Festigkeit bei und verhindert wirksam Waferverzug, Verrutschen oder das Risiko einer Kontamination des Prozesshohlraums durch Verformung des Tabletts, wodurch die Kontinuität und Sicherheit der Produktionsaktivitäten grundlegend gewährleistet wird.


3. Maximieren Sie die Prozessstabilität

Produktionsunterbrechungen und ungeplante Wartungsarbeiten sind große Kostenkiller bei der Waferherstellung. Veteksemicon betrachtet die Prozessstabilität als eine zentrale Messgröße für Susceptor. Unsere patentierte CVD-SiC-Beschichtung ist dicht, porenfrei und hat eine spiegelglatte Oberfläche. Dadurch wird nicht nur die Partikelablösung bei einem Hochtemperatur-Luftstrom deutlich reduziert, sondern auch die Anhaftung von Reaktionsnebenprodukten (wie polykristallinem SiC) an der Schalenoberfläche deutlich verlangsamt. Dies bedeutet, dass Ihre Reaktionskammer über längere Zeiträume sauber bleiben kann, wodurch sich die Intervalle zwischen regelmäßiger Reinigung und Wartung verlängern und so die Gesamtauslastung und der Durchsatz der Ausrüstung verbessert werden.


4. Verlängern Sie die Lebensdauer

Da es sich um eine Verbrauchskomponente handelt, wirkt sich die Häufigkeit des Austauschs von Suszeptoren direkt auf die Betriebskosten der Produktion aus. Veteksemicon verlängert die Produktlebensdauer durch einen dualen Technologieansatz: „Substratoptimierung“ und „Beschichtungsverbesserung“. Ein Graphitsubstrat mit hoher Dichte und geringer Porosität verlangsamt effektiv das Eindringen und die Korrosion des Substrats durch Prozessgase; Gleichzeitig fungiert unsere dicke und gleichmäßige SiC-Beschichtung als robuste Barriere und unterdrückt die Sublimation bei hohen Temperaturen deutlich. Praxisnahe Tests zeigen, dass Veteksemicon-Suszeptoren unter den gleichen Prozessbedingungen einen langsameren Leistungsabfall und eine längere effektive Lebensdauer aufweisen, was zu niedrigeren Betriebskosten pro Wafer führt.



5. Bestätigung der Verifizierung der ökologischen Kette

Die Verifizierung der ökologischen Kette von Veteksemicon EPI Susceptor Part erstreckt sich von den Rohstoffen bis zur Produktion, hat die internationale Standardzertifizierung bestanden und verfügt über eine Reihe patentierter Technologien, um seine Zuverlässigkeit und Nachhaltigkeit in den Bereichen Halbleiter und neue Energien sicherzustellen.


Für detaillierte technische Spezifikationen, Whitepapers oder Mustertestvereinbarungen wenden Sie sich bitte an unser technisches Support-Team, um herauszufinden, wie Veteksemicon Ihre Prozesseffizienz verbessern kann.


Hauptanwendungsgebiete


Anwendungsrichtung
Typisches Szenario
Leistungselektronik
Leistungsbauelemente wie SiC-MOSFETs und Schottky-Dioden, die bei der Herstellung von Elektrofahrzeugen und industriellen Motorantrieben verwendet werden.
Funkfrequenzkommunikation
Epitaxieschichten für das Wachstum von GaN-auf-SiC-Hochfrequenz-Leistungsverstärkergeräten (RF HEMTs) für 5G-Basisstationen und Radar.
Spitzenforschung und Entwicklung
Es dient der Prozessentwicklung und Verifizierung von Wide-Bandgap-Halbleitermaterialien und Bauelementstrukturen der nächsten Generation.


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