QR-Code
Über uns
Produkte
Kontaktiere uns


Fax
+86-579-87223657

Email

Adresse
Wangda Road, Ziyang Street, Kreis Wuyi, Stadt Jinhua, Provinz Zhejiang, China
Allgemeine Produktinformationen
|
Herkunftsort: |
China |
|
Markenname: |
Mein Rivale |
|
Modellnummer: |
EPI-Empfänger Teil-01 |
|
Zertifizierung: |
ISO9001 |
Geschäftsbedingungen für Produkte
|
Mindestbestellmenge: |
Vorbehaltlich Verhandlungen |
|
Preis: |
Kontakt für individuelle Angebote |
|
Verpackungsdetails: |
Standard-Exportpaket |
|
Lieferzeit: |
Lieferzeit: 30–45 Tage nach Auftragsbestätigung |
|
Zahlungsbedingungen: |
T/T |
|
Lieferfähigkeit: |
100 Einheiten/Monat |
✔ Anwendung: Im Streben nach ultimativer Leistung und Ausbeute bei SiC-Epitaxieprozessen bietet Veteksemicon EPI Susceptor eine hervorragende thermische Stabilität und Gleichmäßigkeit und wird so zu einer wichtigen Unterstützung für die Verbesserung der Leistung von Leistungs- und HF-Geräten und die Reduzierung der Gesamtkosten.
✔ Leistungen, die erbracht werden können: Analyse des Kundenanwendungsszenarios, passende Materialien, technische Problemlösung.
✔ Unternehmensprofil:Veteksemicon verfügt über zwei Labore, ein Expertenteam mit 20 Jahren Materialerfahrung sowie F&E- und Produktions-, Test- und Verifizierungskapazitäten.
|
Projekt |
Parameter |
|
Grundmaterial |
Hochreiner isostatischer Graphit |
|
Beschichtungsmaterial |
Hochreines CVD-SiC |
|
Beschichtungsdicke |
Anpassungen sind möglich, um die Prozessanforderungen der Kunden zu erfüllen (typischer Wert: 100 ± 20 μm). |
|
Reinheit |
> 99,9995 % (SiC-Beschichtung) |
|
Maximale Betriebstemperatur |
> 1650°C |
|
Wärmeausdehnungskoeffizient |
Gute Übereinstimmung mit SiC-Wafern |
|
Oberflächenrauheit |
Ra < 1,0 μm (auf Anfrage einstellbar) |
1. Sorgen Sie für höchste Einheitlichkeit
Bei Siliziumkarbid-Epitaxieprozessen wirken sich sogar Dickenschwankungen im Mikrometerbereich und Dotierungsinhomogenitäten direkt auf die Leistung und Ausbeute des endgültigen Bauteils aus. Der Veteksemicon EPI Susceptor erreicht durch präzise thermodynamische Simulation und Strukturdesign eine optimale Wärmefeldverteilung innerhalb der Reaktionskammer. Unsere Auswahl eines Substrats mit hoher Wärmeleitfähigkeit in Kombination mit einem einzigartigen Oberflächenbehandlungsprozess stellt sicher, dass Temperaturunterschiede an jedem Punkt der Waferoberfläche selbst bei Hochgeschwindigkeitsrotation und Hochtemperaturumgebungen in einem extrem kleinen Bereich kontrolliert werden. Der direkte Wert, den dies mit sich bringt, ist eine hoch reproduzierbare, Charge-zu-Charge-Epitaxieschicht mit ausgezeichneter Gleichmäßigkeit, die eine solide Grundlage für die Herstellung leistungsstarker, hochkonsistenter Leistungschips bildet.
2. Den Herausforderungen hoher Temperaturen standhalten
SiC-Epitaxieprozesse erfordern typischerweise einen längeren Betrieb bei Temperaturen über 1500 °C, was für jedes Material eine große Herausforderung darstellt. Veteksemicon Susceptor verwendet speziell behandelten isostatisch gepressten Graphit, dessen Biegefestigkeit und Kriechfestigkeit bei hohen Temperaturen die von gewöhnlichem Graphit bei weitem übertreffen. Selbst nach Hunderten von Stunden ununterbrochener Hochtemperatur-Wärmezyklen behält unser Produkt seine ursprüngliche Geometrie und mechanische Festigkeit bei und verhindert wirksam Waferverzug, Verrutschen oder das Risiko einer Kontamination des Prozesshohlraums durch Verformung des Tabletts, wodurch die Kontinuität und Sicherheit der Produktionsaktivitäten grundlegend gewährleistet wird.
3. Maximieren Sie die Prozessstabilität
Produktionsunterbrechungen und ungeplante Wartungsarbeiten sind große Kostenkiller bei der Waferherstellung. Veteksemicon betrachtet die Prozessstabilität als eine zentrale Messgröße für Susceptor. Unsere patentierte CVD-SiC-Beschichtung ist dicht, porenfrei und hat eine spiegelglatte Oberfläche. Dadurch wird nicht nur die Partikelablösung bei einem Hochtemperatur-Luftstrom deutlich reduziert, sondern auch die Anhaftung von Reaktionsnebenprodukten (wie polykristallinem SiC) an der Schalenoberfläche deutlich verlangsamt. Dies bedeutet, dass Ihre Reaktionskammer über längere Zeiträume sauber bleiben kann, wodurch sich die Intervalle zwischen regelmäßiger Reinigung und Wartung verlängern und so die Gesamtauslastung und der Durchsatz der Ausrüstung verbessert werden.
4. Verlängern Sie die Lebensdauer
Da es sich um eine Verbrauchskomponente handelt, wirkt sich die Häufigkeit des Austauschs von Suszeptoren direkt auf die Betriebskosten der Produktion aus. Veteksemicon verlängert die Produktlebensdauer durch einen dualen Technologieansatz: „Substratoptimierung“ und „Beschichtungsverbesserung“. Ein Graphitsubstrat mit hoher Dichte und geringer Porosität verlangsamt effektiv das Eindringen und die Korrosion des Substrats durch Prozessgase; Gleichzeitig fungiert unsere dicke und gleichmäßige SiC-Beschichtung als robuste Barriere und unterdrückt die Sublimation bei hohen Temperaturen deutlich. Praxisnahe Tests zeigen, dass Veteksemicon-Suszeptoren unter den gleichen Prozessbedingungen einen langsameren Leistungsabfall und eine längere effektive Lebensdauer aufweisen, was zu niedrigeren Betriebskosten pro Wafer führt.
5. Bestätigung der Verifizierung der ökologischen Kette
Die Verifizierung der ökologischen Kette von Veteksemicon EPI Susceptor Part erstreckt sich von den Rohstoffen bis zur Produktion, hat die internationale Standardzertifizierung bestanden und verfügt über eine Reihe patentierter Technologien, um seine Zuverlässigkeit und Nachhaltigkeit in den Bereichen Halbleiter und neue Energien sicherzustellen.
Für detaillierte technische Spezifikationen, Whitepapers oder Mustertestvereinbarungen wenden Sie sich bitte an unser technisches Support-Team, um herauszufinden, wie Veteksemicon Ihre Prozesseffizienz verbessern kann.
Hauptanwendungsgebiete
|
Anwendungsrichtung |
Typisches Szenario |
|
Leistungselektronik |
Leistungsbauelemente wie SiC-MOSFETs und Schottky-Dioden, die bei der Herstellung von Elektrofahrzeugen und industriellen Motorantrieben verwendet werden. |
|
Funkfrequenzkommunikation |
Epitaxieschichten für das Wachstum von GaN-auf-SiC-Hochfrequenz-Leistungsverstärkergeräten (RF HEMTs) für 5G-Basisstationen und Radar. |
|
Spitzenforschung und Entwicklung |
Es dient der Prozessentwicklung und Verifizierung von Wide-Bandgap-Halbleitermaterialien und Bauelementstrukturen der nächsten Generation. |
Lager für Veteksemicon-Produkte
Adresse
Wangda Road, Ziyang Street, Kreis Wuyi, Stadt Jinhua, Provinz Zhejiang, China
Tel


+86-579-87223657


Wangda Road, Ziyang Street, Kreis Wuyi, Stadt Jinhua, Provinz Zhejiang, China
Copyright © 2024 WuYi TianYao New Material Tech.Co.,Ltd. Alle Rechte vorbehalten.
Links | Sitemap | RSS | XML | Datenschutzrichtlinie |
