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TAC -Beschichtung Ersatzteil
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TAC -Beschichtung Ersatzteil

Die TAC-Beschichtung wird derzeit hauptsächlich in Prozessen wie ein Einkristallwachstum von Siliziumkarbid (PVT-Methode), epitaxiale Festplatte (einschließlich Siliziumkarbid-Epitaxie, LED-Epitaxie) usw. verwendet. In Kombination mit der guten Langzeitstabilität von TAC-Beschichtungsplatten. Wir freuen uns darauf, dass Sie unser langfristiger Partner werden.

Es HalbleiterTAC -Beschichtungsplatteist ein spezielles Material, das in der weit verbreitet istHalbleiterHerstellungsprozess. In Kombination mit hoher Härte und Verschleißfestigkeit, hoher Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, niedrigem Reibungskoeffizienten und guter thermischer Leitfähigkeit spielt die TAC -Beschichtungsplatte eine unersetzliche Rolle in vielen Verbindungen der Halbleiterverarbeitung.


Im Allgemeinen die Anwendungen vonTAC -beschichtete PlattenIn der Semiconductor -Verarbeitung sind wie folgt:


● CVD/ALD -Wachstumssubstrat: Die hohe Temperaturbeständigkeit, die chemische Stabilität und der niedrige Reibungskoeffizient von TAC -beschichteten Platten machen sie ideale CVD/ALD -Wachstumssubstrate. Es kann ein stabiles Wachstumsumfeld bieten, um die Gleichmäßigkeit und Dichte des Films zu gewährleisten.

●  Ätzmaskenplatte: Die hohe Härte und Korrosionsbeständigkeit von TAC-beschichteten Platten ermöglichen es ihnen, energiereiche Prozesse wie Plasma-Ätzen standzuhalten, als Ätzmaskenplatten, der den zugrunde liegenden Film schützt.

●  CMP Polishing Pad: Der Verschleißfestigkeit und der niedrige Reibungskoeffizient von TAC -beschichteten Platten machen sie ideale Materialien für CMP -Polierpads, die Partikel und Defekte auf der Oberfläche des Films effektiv entfernen können.

●  Hochtemperaturofenofenrohr: Die hohe Temperaturwiderstand und Korrosionsbeständigkeit von TAC -beschichteten Platten ermöglichen es ihnen, als Ofenrohre in Hochtemperaturöfen für Hochtemperaturanzügen, Diffusion und andere Prozesse verwendet zu werden.


CVD TAC -Beschichtung Technische Parameter

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD -sic -Beschichtung
Eigentum
Typischer Wert
Kristallstruktur Polykristalline FCC -β -Phasen -FCC -β -Phase, hauptsächlich (111) orientiert
CVD -SIC -Beschichtungsdichte
3,21 g/cm³
Sic -Beschichtungshärte
2500 Vickers Härte (500 g Last)
Körnung
2 ~ 10 mm
Chemische Reinheit
99,99995%
Wärmekapazität
640 J · kg-1· K-1
Sublimationstemperatur
2700 ℃
Biegerstärke
415 MPa RT 4-Punkte
Der Modul von Young
430 GPA 4PT Bend, 1300 ℃
Wärmeleitfähigkeit
300W · m-1· K-1
Wärmeausdehnung (CTE)
4,5 × 10-6K-1

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