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Ring vorheizen
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Ring vorheizen

Vorwärmering wird im Halbleiter-Epitaxie-Prozess verwendet, um Wafer vorzuheizen und die Temperatur von Wafern stabiler und gleichmäßiger zu gestalten, was für das qualitativ hochwertige Wachstum der Epitaxienschichten von großer Bedeutung ist. Vetek Semiconductor kontrolliert die Reinheit dieses Produkts strikt, um die Verflüchtigung von Verunreinigungen bei hohen Temperaturen zu verhindern.

Der Vorheizring ist eine wichtige Ausrüstung, die speziell für den epitaxialen (EPI) -Prozess bei der Herstellung von Halbleiter entwickelt wurde. Es wird verwendet, um Wafer vor dem EPI-Prozess vorzuwärmen, um die Temperaturstabilität und Gleichmäßigkeit während des gesamten epitaxialen Wachstums zu gewährleisten.


Unser EPI -Pre -Heat -Ring von Vetek Semiconductor bietet mehrere bemerkenswerte Funktionen und Vorteile. Erstens wird es unter Verwendung von Materialien mit hoher thermischer Leitfähigkeit konstruiert, wodurch eine schnelle und gleichmäßige Wärmeübertragung auf die Waferoberfläche ermöglicht wird. Dies verhindert die Bildung von Hotspots und Temperaturgradienten, wodurch eine konsistente Ablagerung gewährleistet und die Qualität und Gleichmäßigkeit der epitaxialen Schicht verbessert wird. Darüber hinaus ist unser EPI-Pre-Wärme-Ring mit einem fortschrittlichen Temperaturkontrollsystem ausgestattet, das eine präzise und konsistente Kontrolle der Vorheizentemperatur ermöglicht. Dieses Kontrollniveau verbessert die Genauigkeit und Wiederholbarkeit von entscheidenden Schritten wie Kristallwachstum, Materialablagerung und Grenzflächenreaktionen während des EPI -Prozesses.


Haltbarkeit und Zuverlässigkeit sind wesentliche Aspekte unseres Produktdesigns. Der EPI-Vorheizring ist so konstruiert, dass er hohen Temperaturen und Betriebsdrücken standhält und Stabilität und Leistung über längere Zeiträume hinweg aufrechterhält. Dieser Designansatz reduziert die Wartungs- und Austauschkosten und gewährleistet langfristige Zuverlässigkeit und Betriebseffizienz. Installation und Betrieb des EPI-Vorheizrings sind unkompliziert, da er mit gängigen EPI-Geräten kompatibel ist. Es verfügt über einen benutzerfreundlichen Wafer-Platzierungs- und Entnahmemechanismus, der den Komfort und die Betriebseffizienz erhöht.


Bei Vetek Semiconductor bieten wir auch Anpassungsdienste an, um bestimmte Kundenanforderungen zu erfüllen. Dies beinhaltet die Anpassung an Größe, Form und Temperatur des EPI -Pre -Wärme -Rings, um sich an den einzigartigen Produktionsanforderungen anzupassen. Für Forscher und Hersteller, die an epitaxiellem Wachstum und Halbleiter -Geräteproduktion beteiligt sind, bietet der EPI -Pre -Wärme -Ring von Vetek Semiconductor eine außergewöhnliche Leistung und zuverlässige Unterstützung. Es dient als kritisches Instrument, um qualitativ hochwertiges epitaxielles Wachstum zu erzielen und effiziente Herstellungsprozesse für Halbleiter-Geräte zu erleichtern.


REM-DATEN DES CVD-SIC-FILM

SEM DATA OF CVD SIC FILM

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD -sic -Beschichtung:

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung
Eigentum Typischer Wert
Kristallstruktur Polykristalline FCC-β-Phase, hauptsächlich (111)-orientiert
SiC -Beschichtungsdichte 3,21 g/cm³
Sic -Beschichtungshärte 2500 Vickers Härte (500 g Last)
Körnung 2 ~ 10 mm
Chemische Reinheit 99,99995 %
Wärmekapazität 640 J · kg-1· K-1
Sublimationstemperatur 2700 ℃
Biegefestigkeit 415 MPa RT 4-Punkte
Der Modul von Young 430 GPA 4PT Bend, 1300 ℃
Wärmeleitfähigkeit 300W · m-1· K-1
Wärmeausdehnung (CTE) 4,5 × 10-6K-1


Es HalbleiterVorhitzringProduktionsgeschäft

SiC Graphite substratePre-Heat Ring testSilicon carbide ceramic processingEPI process equipment


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