Wenn der EPI-Empfänger

Im Folgenden wird ein hochwertiger Si-Epi-Suszeptor vorgestellt, der Ihnen dabei helfen soll, den Barrel-Typ-Si-Epi-Suszeptor besser zu verstehen. Begrüßen Sie neue und alte Kunden, um weiterhin mit uns zusammenzuarbeiten und eine bessere Zukunft zu schaffen!

Ein Epitaxiereaktor ist ein spezielles Gerät, das für das epitaktische Wachstum in der Halbleiterfertigung verwendet wird. Der Si-Epi-Suszeptor vom Fasstyp bietet eine Umgebung, die Temperatur, Atmosphäre und andere wichtige Parameter steuert, um neue Kristallschichten auf der Waferoberfläche abzuscheiden.

Der Hauptvorteil des Barrel Type Si Epi Susceptor ist seine Fähigkeit, mehrere Chips gleichzeitig zu verarbeiten, was die Produktionseffizienz erhöht. Normalerweise verfügt es über mehrere Halterungen oder Klemmen zum Halten mehrerer Wafer, sodass mehrere Wafer gleichzeitig im selben Wachstumszyklus gezüchtet werden können. Diese Funktion mit hohem Durchsatz reduziert Produktionszyklen und -kosten und verbessert die Produktionseffizienz.

Darüber hinaus bietet der Fass -SI -EPI -SUPI -SUPTOR optimierte Temperatur- und Atmosphärenkontrolle. Es ist mit einem fortschrittlichen Temperaturkontrollsystem ausgestattet, das die gewünschte Wachstumstemperatur genau steuern und aufrechterhalten kann. Gleichzeitig bietet es eine gute Atmosphärenkontrolle und sorgt dafür, dass jeder Chip unter den gleichen Atmosphärenbedingungen angebaut wird. Dies hilft, ein einheitliches Wachstum der epitaxialen Schicht zu erzielen und die Qualität und Konsistenz der epitaxialen Schicht zu verbessern.

Im Suszeptor des Fass -Typs SI EPI erreicht der Chip normalerweise eine gleichmäßige Temperaturverteilung und Wärmeübertragung durch Luftstrom oder flüssigen Fluss. Diese gleichmäßige Temperaturverteilung vermeidet die Bildung von Hotspots und Temperaturgradienten, wodurch die Gleichmäßigkeit der epitaxialen Schicht verbessert wird.

Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass der Barrel Type Si Epi Susceptor Flexibilität und Skalierbarkeit bietet. Es kann für verschiedene Epitaxiematerialien, Chipgrößen und Wachstumsparameter angepasst und optimiert werden. Dies ermöglicht Forschern und Ingenieuren eine schnelle Prozessentwicklung und -optimierung, um den epitaktischen Wachstumsanforderungen verschiedener Anwendungen und Anforderungen gerecht zu werden.