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SiC-beschichtete epitaktische Reaktorkammer
  • SiC-beschichtete epitaktische ReaktorkammerSiC-beschichtete epitaktische Reaktorkammer

SiC-beschichtete epitaktische Reaktorkammer

Die SiC-beschichtete Epitaxie-Reaktorkammer von Veteksemicon ist eine Kernkomponente, die für anspruchsvolle Halbleiter-Epitaxie-Wachstumsprozesse entwickelt wurde. Mithilfe fortschrittlicher chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) bildet dieses Produkt eine dichte, hochreine SiC-Beschichtung auf einem hochfesten Graphitsubstrat, was zu einer überlegenen Hochtemperaturstabilität und Korrosionsbeständigkeit führt. Es widersteht wirksam den korrosiven Wirkungen von Reaktionsgasen in Prozessumgebungen mit hohen Temperaturen, unterdrückt Partikelverunreinigungen erheblich, gewährleistet eine gleichbleibende Qualität des Epitaxiematerials und eine hohe Ausbeute und verlängert den Wartungszyklus und die Lebensdauer der Reaktionskammer erheblich. Es ist eine wichtige Wahl für die Verbesserung der Fertigungseffizienz und Zuverlässigkeit von Halbleitern mit großer Bandlücke wie SiC und GaN.

Allgemeine Produktinformationen

Herkunftsort:
China
Markenname:
Mein Rivale
Modellnummer:
SiC-beschichtete epitaktische Reaktorkammer-01
Zertifizierung:
ISO9001

Geschäftsbedingungen für Produkte

Mindestbestellmenge:
Vorbehaltlich Verhandlungen
Preis:
Kontakt für individuelle Angebote
Verpackungsdetails:
Standard-Exportpaket
Lieferzeit:
Lieferzeit: 30–45 Tage nach Auftragsbestätigung
Zahlungsbedingungen:
T/T
Lieferfähigkeit:
100 Einheiten/Monat

Anwendung: Die mit SiC beschichtete Epitaxie-Reaktorkammer von Veteksemicon ist für anspruchsvolle Halbleiter-Epitaxieprozesse konzipiert. Durch die Bereitstellung einer extrem reinen und stabilen Hochtemperaturumgebung verbessert es die Qualität von SiC- und GaN-Epitaxiewafern erheblich und macht es zu einem wichtigen Eckpfeiler für die Herstellung von Hochleistungs-Leistungschips und HF-Geräten.

Leistungen, die erbracht werden können: Analyse des Kundenanwendungsszenarios, passende Materialien, technische Problemlösung.

Unternehmensprofil:Veteksemicon verfügt über zwei Labore, ein Expertenteam mit 20 Jahren Materialerfahrung sowie F&E- und Produktions-, Test- und Verifizierungskapazitäten.


Technische Parameter

Projekt
Parameter
Grundmaterial
Hochfester Graphit
Beschichtungsprozess
CVD-SiC-Beschichtung
Beschichtungsdicke
Anpassungen sind möglich, um den Kundenprozess zu erfüllenAnforderungen (typischer Wert: 100 ± 20 μm).
Reinheit
> 99,9995 % (SiC-Beschichtung)
Maximale Betriebstemperatur
> 1650°C
Wärmeleitfähigkeit
120 W/m·K
Anwendbare Prozesse
SiC-Epitaxie, GaN-Epitaxie, MOCVD/CVD
Kompatible Geräte
Mainstream-Epitaxiereaktoren (wie Aixtron und ASM)


Vorteile des SiC-beschichteten Epitaxie-Reaktorkammerkerns von Mein Rivale


1. Super Korrosionsbeständigkeit

Die Reaktionskammer von Veteksemicon nutzt ein proprietäres CVD-Verfahren, um eine extrem dichte, hochreine Siliziumkarbidbeschichtung auf der Substratoberfläche abzuscheiden. Diese Beschichtung widersteht wirksam der Erosion durch korrosive Hochtemperaturgase wie HCl und H2, die häufig bei SiC-Epitaxieprozessen auftreten, und löst grundlegend die Probleme der Oberflächenporosität und der Partikelablösung, die bei herkömmlichen Graphitkomponenten nach längerem Gebrauch auftreten können. Diese Eigenschaft sorgt dafür, dass die Innenwand der Reaktionskammer auch nach Hunderten von Stunden Dauerbetrieb glatt bleibt, wodurch Waferdefekte durch Kammerkontamination deutlich reduziert werden.


2. Hohe Temperaturstabilität

Dank der hervorragenden thermischen Eigenschaften von Siliziumkarbid hält diese Reaktionskammer problemlos Dauerbetriebstemperaturen von bis zu 1600 °C stand. Sein extrem niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient sorgt dafür, dass die Komponenten die Ansammlung thermischer Spannungen bei wiederholtem schnellem Aufheizen und Abkühlen minimieren und so Mikrorisse oder strukturelle Schäden durch thermische Ermüdung verhindern. Diese hervorragende thermische Stabilität stellt ein entscheidendes Prozessfenster und eine Zuverlässigkeitsgarantie für epitaktische Prozesse dar, insbesondere für die SiC-Homoepitaxie, die Hochtemperaturumgebungen erfordert.


3. Hohe Reinheit und geringe Verschmutzung

Wir sind uns des entscheidenden Einflusses der Qualität der Epitaxieschicht auf die endgültige Geräteleistung bewusst. Daher strebt Veteksemicon nach der höchstmöglichen Beschichtungsreinheit und stellt sicher, dass diese einen Wert von über 99,9995 % erreicht. Eine solche hohe Reinheit unterdrückt wirksam die Migration metallischer Verunreinigungen (wie Fe, Cr, Ni usw.) in die Prozessatmosphäre bei hohen Temperaturen und vermeidet so den fatalen Einfluss dieser Verunreinigungen auf die Qualität des Epitaxieschichtkristalls. Dies schafft eine solide Materialgrundlage für die Herstellung leistungsstarker, hochzuverlässiger Leistungshalbleiter und Hochfrequenzgeräte.


4. Langlebiges Design

Im Vergleich zu unbeschichteten oder herkömmlichen Graphitbauteilen bieten durch SiC-Beschichtungen geschützte Reaktionskammern eine um ein Vielfaches längere Lebensdauer. Dies liegt vor allem daran, dass die Beschichtung das Substrat umfassend schützt und den direkten Kontakt mit korrosiven Prozessgasen verhindert. Diese verlängerte Lebensdauer führt direkt zu erheblichen Kostenvorteilen: Kunden können die Ausfallzeiten der Geräte, die Ersatzteilbeschaffung und die Wartungsarbeitskosten, die mit dem regelmäßigen Austausch von Kammerkomponenten verbunden sind, erheblich reduzieren und so die gesamten Produktionsbetriebskosten effektiv senken.


5. Bestätigung der Verifizierung der ökologischen Kette

Die Verifizierung der ökologischen Kette der SiC-beschichteten Epitaxie-Reaktorkammer von Veteksemicon erstreckt sich von den Rohstoffen bis zur Produktion, hat die internationale Standardzertifizierung bestanden und verfügt über eine Reihe patentierter Technologien, um ihre Zuverlässigkeit und Nachhaltigkeit in den Bereichen Halbleiter und neue Energien sicherzustellen.


Für detaillierte technische Spezifikationen, Whitepapers oder Mustertestvereinbarungen wenden Sie sich bitte an unser technisches Support-Team, um herauszufinden, wie Veteksemicon Ihre Prozesseffizienz verbessern kann.


Hauptanwendungsgebiete

Anwendungsrichtung
Typisches Szenario
Herstellung von Leistungshalbleitern
SiC-MOSFET und epitaktisches Diodenwachstum
HF-Geräte
Epitaxieprozess für GaN-auf-SiC-HF-Geräte
Optoelektronik
LED- und Laser-Epitaxie-Substratbearbeitung

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