SiC-beschichteter Stützring

Es Halbleiter, ein führender Hersteller und Lieferant mit Sitz in China, spezialisiert auf die Herstellung einer Reihe von Produkten, einschließlichSic beschichtete Unterstützungsringe, CVD-Siliziumkarbidbeschichtungen, Tantalkarbidbeschichtungen, SiC-Massen, SiC-Pulver und hochreine SiC-Materialien. Unser Engagement liegt in der Bereitstellung umfassender technischer Unterstützung und optimaler Produktlösungen, die auf den Halbleitersektor zugeschnitten sind. Für weitere Informationen und Unterstützung können Sie sich gerne an uns wenden.

Es Halbleiter'SSic beschichtete Unterstützungsringesind eine neue Erzeugung hochtemperaturbeständiger Materialien. Als korrosionsbeständige Beschichtungen, oxidationsbeständige Beschichtungen und Verschleiß widerstandsfähiger Beschichtungen können sie in Umgebungen über 1650 ° C verwendet werden und sind in Halbleiterfeldern weit verbreitet.

Die hochwertigen Eigenschaften vonSic beschichtete Unterstützungsringespielen eine sehr wichtige Rolle beim epitaxialen Wachstum der Halbleiterkomponenten der dritten Generation.

Temperaturgleichmäßigkeit aufrechterhalten: SiC-beschichtete Stützringe haben eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit und können während des epitaktischen Wachstums für eine gleichmäßige Temperaturverteilung sorgen. Dies trägt dazu bei, thermische Gradienten und Spannungen auf der Waferoberfläche zu reduzieren und dadurch die Qualität der Epitaxieschicht zu verbessern.

Extreme chemische Stabilität: Während des epitaktischen WachstumsprozessesSic beschichtete Unterstützungsringesind in der Lage, chemischen Angriffen durch die Reaktionsgase zu widerstehen, was die Lebensdauer der Stützringe verlängert und die Integrität des Prozesses aufrechterhält. Diese chemische Stabilität trägt dazu bei, das Kontaminationsrisiko zu verringern und die Reinheit und Leistung von Halbleiterbauelementen zu verbessern.

Präzise Positionierung: SIC -beschichtete Stützringe können die genaue Positionierung des Wafers aufrechterhalten, was für die Erreichung einer gleichmäßigen Schichtabscheidung von entscheidender Bedeutung ist. Diese genaue Positionierung sorgt für die Konsistenz der Dicke und Qualität der epitaxialen Schicht.

Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung:

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