Solide SiC-Fokusringe

1. Produktmerkmale

● Reinheit (GDMS-verifiziert): > 99,99995 % (bis zu 6N-7N) | Hält die Kammer frei von Spurenmetallrisiken.

● Strukturelle Festigkeit: ≥3,21 g/cm3 | Erreicht theoretische Dichte; Hinterlässt keine Hohlräume, in denen Ausgasungen oder Mikropartikel entstehen können.

● Wärmeregulierung: 200 - 300 W/m·K | Verteilt die Wärme schnell, um die Temperatur am Waffelrand perfekt gleichmäßig zu halten.

● Elektrischer Bereich: 0,01 - 10 Ωcm | Anpassbarer spezifischer Widerstand, um die Plasmahülle zu stabilisieren und die HF-Verbindung zu verfeinern. Oberflächensteifigkeit: ≥2500 HV | Beständig gegen abrasiven Verschleiß bei kontinuierlichen Trockenätzzyklen.

2. Bewerbungenl 

● Fortschrittliches Plasmaätzverfahren

● Dünnschichtabscheidungsprozesse (PECVD/ALD)

● Massive SiC-Ätzringe sind wichtige Verbrauchsmaterialien in der modernen Chipherstellung. Sie werden verwendet, um die Gleichmäßigkeit von Waferkantenprozessen sicherzustellen, die Ausbeute zu verbessern und die Komponentenlebensdauer bei Plasmaätz- und Abscheidungsprozessen zu verlängern.

3. Behebung von Fab-Schwachstellen

● Problem: Kostspielige Leerlaufzeiten durch schnelle Teileerosion

Die Lösung: Die CVD-gewachsene Struktur von Vetek weist eine Erosionsgeschwindigkeit auf, die 10 bis 20 Mal langsamer als Quarz und 3 bis 5 Mal langsamer als Massensilizium ist. Fabs erhalten längere Produktionsläufe und weitaus weniger Notkammerentlüftungen.

● Problem: Randertragskollaps („Der Randeffekt“)

Die Lösung: Langsamer, vorhersehbarer Verschleiß an der Ringfläche verhindert, dass die Plasmahülle mit der Zeit kippt. Dadurch werden die strengen Grenzwerte der kritischen Dimension (CD) direkt am Waferumfang eingehalten.

● Problem: Fehlerspitzen durch Ablösen von Sinterteilen

Die Lösung: Unsere Gasphasensynthese hinterlässt keine Korngrenzenbindemittel oder metallischen Füllstoffe. Ohne diese Schwachstellen blättert der Ring nicht ab und verursacht keine Mikromaskierungsdefekte auf der Waferoberfläche.

4. Maßgeschneiderte technische Unterstützung

● Tool-Drop-In-Integration: Maßgeschneidert, um den strengen Abstandsspezifikationen globaler Ätzmarken wie Lam, AMAT und TEL zu entsprechen.

● Widerstandsanpassung: Wir stimmen das elektrische Profil jeder Charge ab, um es perfekt an Ihre spezifischen Rezeptparameter anzupassen.

● Fortschrittliche Oberflächenbearbeitung: Verwendet hochreine chemisch-mechanische Planarisierung (CMP), um raue Oberflächen zu glätten und die Partikelanzahl während der frühen Werkzeugabnutzung zu senken.

● Komplizierte Formfaktoren: Wir halten enge Toleranzen (±0,01 mm) bei schwierigen Ringen mit mehreren Stufen und ineinandergreifenden Ringanordnungen ein.

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